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CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014064594
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 별도의 열처리 공정 없이, 열전자가 아닌 플라즈마 전자빔을 통해 전구체를 결정화하여 광흡수층을 형성하므로, 광흡수층의 결정화를 위해 공급되는 열 에너지에 의한 기판 손상을 방지할 수 있으며, 단시간에 광흡수층의 결정화가 가능하여 제조 시간 및 비용을 절감하는데 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130012026 (2013.02.01)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0099402 (2014.08.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 김재웅 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0099900-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0207296-63
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0484610-35
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0484609-99
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0742538-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배면전극을 형성하는 배면전극 형성 단계;상기 배면전극 상에 셀레늄을 포함하는 전구체를 형성하는 전구체 형성 단계; 및상기 전구체에 플라즈마 전자빔을 조사하여, 상기 전구체를 결정화하여 CIS계 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 광흡수층 형성 단계에서상기 플라즈마 전자빔은 전자 가속도 2
3 3
청구항 1에 있어서,상기 광흡수층 형성 단계에서상기 플라즈마 전자빔은 주입된 아르곤(Ar)을 고밀도 플라즈마화 하여, 이온과 전자로 분리 후 전자를 조사 하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 광흡수층 형성 단계 이후에는상기 광흡수층 상에 투명 전극을 형성하는 투명전극 형성 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 투명 전극 형성 단계 이전에는 상기 광흡수층에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계를 더 포함하고, 상기 투명전극 형성 단계에서는 상기 버퍼층 상에 상기 투명전극이 형성되어, 상기 버퍼층이 상기 투명전극과 상기 광흡수층 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 투명 전극 형성 단계 이후에는상기 투명전극 상에 상기 투명 전극을 덮도록 반사 방지막을 형성하고 패터닝하여, 상기 투명전극의 일측을 상기 반사 방지막의 상부로 노출시키는 반사 방지막 형성 단계; 및상기 반사 방지막 상부로 노출된 상기 투명 전극을 덮도록, 상기 투명 전극 상에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 융합연구사업 스퍼터 기반 저온 고효율 와이드 밴드갭 태양전지 개발
2 지식경제부 ㈜에스엔텍 호남권 광역경제권 선도사업 Cylindrical sputter target을 이용한 CIS계 흡수층 박막의 생산성 향상 기술 개발