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하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다
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청구항 1에 있어서,상기 화합물은 전체 화합물 중량에 대해 15∼45%의 실리콘(Si) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물
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청구항 1에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물:[화학식 1a]상기 식에서, n은 4∼6이다
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하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 하드마스크용 화합물, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다
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청구항 5에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a의 화합물로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 1a]상기 식에서, n은 4∼6이다
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청구항 5에 있어서, 상기 가교제는 벤젠고리 또는 지방족 고리 주쇄에 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 7에 있어서, 상기 가교제는 테트라메톡시-메틸글리코우릴 수지 또는 o-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 가교제는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 디올(diol) 작용기를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 10에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 폴리(4-히드록시스티렌)인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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13
청구항 5에 있어서, 상기 촉매제는 열산발생제 또는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 13에 있어서, 상기 열산발생제는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 3][화학식 4]상기 식에서, A 는 설포닐기를 포함하는 작용기이고, n 은 0 또는 1이다
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청구항 13에 있어서, 상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 촉매제는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 0
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청구항 5에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 테트로하이드로퓨란(THF), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 유기용매는 상기 하드마스크용 화합물 100중량부에 대하여 500∼10,000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
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기판의 피식각층 상부에 청구항 5의 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
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청구항 19에 있어서,상기 피식각층은 실리콘 산화막 또는 산화 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
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청구항 19에 있어서,상기 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전, 피식각층 상부에 비정질 카본층 또는 탄소 함량이 높은 폴리머층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
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청구항 19에 있어서,상기 경화 공정은 노광 또는 베이크 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
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