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비아(via)가 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 씨드 레이어를 형성하는 단계를 포함하며,상기 비아는 단면을 기준으로 할 때 평균 깊이가 평균 폭에 대하여 10배 이상이고,상기 씨드 레이어를 형성하는 단계는 상기 씨드 레이어 형성 물질이 상기 비아의 측면과 밑면에 증착되도록, 상기 씨드 레이어 형성 물질이 증착되는 방향과 상기 비아의 측면이 이루는 각도가 하기 식 1로 표현되는 각도(θ) 이하가 되도록 상기 기판을 상하좌우로 기울여 행하여지며,상기 기판의 기울임 방향의 변동이 단속적으로 이루어지거나 연속적으로 이루어지도록 행하여지는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 씨드 레이어를 형성하는 단계는 압력을 7~13mtorr로 제어하는 제1단계와 2
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청구항 3에 있어서,상기 씨드 레이어를 형성하는 단계는 상기 제2단계 후, 압력을 0
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청구항 1에 있어서,상기 씨드 레이어를 형성하는 단계는 2~5kW의 타겟 파워를 인가하여 이루어지는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 씨드 레이어를 형성하는 단계는 상기 기판에 바이어스를 인가하여 이루어지는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 씨드 레이어는 Mo 또는 Cu 씨드 레이어인 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 7에 있어서,상기 Mo 또는 Cu 씨드 레이어를 형성하는 단계 후, 상기 Mo 씨드 레이어 상에 Cu 씨드 레이어를 추가로 형성하거나 Cu 씨드 레이어 상에 Mo 씨드 레이어를 추가로 형성하는 단계를 포함하는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 8에 있어서,상기 씨드 레이어를 추가로 형성하는 단계 후, Mo 씨드 레이어와 Cu 씨드 레이어가 교대로 적층되도록 추가로 씨드 레이어를 형성하는 단계를 포함하는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 1, 3 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,상기 씨드 레이어의 두께는 20nm~1㎛인 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 1, 3 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,상기 비아는 상부에서 바라보았을 때를 기준으로 하여, 씨드 레이어 형성 후 비아의 개구부 단면적은 씨드 레이어 형성 전에 비하여 50%이상인 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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청구항 9에 있어서,상기 Cu 씨드 레이어를 증착하는 단계 후, 기판에 Cu를 필링 도금하는 단계를 추가로 포함하는 고종횡비 비아에 씨드 레이어를 형성시키는 방법
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