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아소퀴놀라인 구조를 포함하는 페노사이아진 금속 착화합물, 그 제조 방법 및 용도

  • 기술번호 : KST2014064874
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약 본 발명은 아이소퀴놀라인 구조와 연결된 페노사이아진 유도체를 이용한 금속 착화합물 제조에 관한 것이다. 특히 일반적으로 적색계 발광재료로 사용되는 금속착화합물의 전기 발광 효율을 개선하고 전자가 풍부한 페노사이아진계 금속 착화합물을 제조하여 605nm영역에서 높은 PL 값을 나타내었다. 페노사이아진 유도체, OLED, 이리듐 컴플렉스, 일함수, 밴드갭
Int. CL C07F 15/00 (2006.01)
CPC C07F 15/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020090038965 (2009.05.04)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0119997 (2010.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영철 대한민국 서울특별시 서초구
2 김백진 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 강효일 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0269198-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기의 화학식 1로 표시되는 페녹사이아진 유도체를 이용한 이리듐 화합물
2 2
제 1항에 있어서 금속(M)이 이리듐(Ir)인 물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.