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하드마스크용 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물

  • 기술번호 : KST2014064877
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하드마스크용 덴드리머(dendrimer) 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 내성이 우수한 마스크막을 형성하기 위하여, 덴드리머 구조를 가지는 하드마스크용 화합물과, 이를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 피식각층 상부에 상기 하드마스크용 조성물을 스핀 코팅법으로 도포한 다음, 경화함으로써, 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 내성이 우수한 유무기 하이브리드계 하드마스크막을 형성할 수 있다.
Int. CL C07F 7/08 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) C08L 83/04 (2006.01) G03F 1/60 (2012.01)
CPC G03F 7/11(2013.01) G03F 7/11(2013.01) G03F 7/11(2013.01)
출원번호/일자 1020090049091 (2009.06.03)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1482997-0000 (2015.01.05)
공개번호/일자 10-2010-0130417 (2010.12.13) 문서열기
공고번호/일자 (20150114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.18)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황석호 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0336368-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0575587-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038348-02
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0251445-46
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0546614-50
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0655328-20
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0757176-46
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0854142-03
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0854143-48
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0886925-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이다
2 2
청구항 1에 있어서,상기 화합물은 전체 중량에 대해 15∼45%의 실리콘(Si) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물
3 3
청구항 1에 있어서,상기 화합물은 1,000∼30,000의 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머 화합물
4 4
청구항 1에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 덴드리머
5 5
하기 화학식 1로 표시되는 덴드리머 화합물, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 1]상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이다
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 가교제는 벤젠고리 혹은 지방족고리 주쇄에 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는, 분자량 100∼10,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 가교제는 테트라메톡시-메틸글리코루릴 수지 또는 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 가교제는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 하이드록시(-OH) 작용기를 포함하는, 분자량 100∼5,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 폴리(4-히드록시스티렌)인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
12 12
청구항 5에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
13 13
청구항 5에 있어서, 상기 촉매제는 열산발생제 또는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 열산발생제는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
16 16
청구항 5에 있어서, 상기 촉매제는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 0
17 17
청구항 5에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
18 18
청구항 5에 있어서, 상기 유기용매는 상기 덴드리머 화합물 100중량부에 대하여 500∼10,000 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
19 19
기판의 피식각층 상부에 청구항 5 기재의 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
20 20
청구항 19에 있어서,상기 피식각층은 실리콘산화막 또는 실리콘산화질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
21 21
청구항 19에 있어서,상기 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전, 피식각층 상부에 비정질 카본층 또는 탄소를 함유하는 폴리머층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
22 22
청구항 19에 있어서,상기 경화 공정은 노광 또는 베이크 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
23 23
청구항 19 기재의 패턴 형성 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.