| 1 |
1
기재필름;점토(clay)입자를 포함하여 이루어진 열차단층;탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(Graphene) 중 적어도 하나, 반도체 산화물 또는 페로브스카이트(Perovskite) 구조 산화물 중 적어도 하나, 전도성 고분자, 유기용매 및 레진을 포함하여 이루어진 열선흡수층;이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 열선흡수층 상부에 금속입자, 탄소나노튜브입자, 유기용매 및 레진을 포함하여 이루어진 방열층;을 더 적층하는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 3 |
3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기재필름은 폴리에스테르, 에틸렌테레프탈레이트·에틸렌이소프탈레이트 공중합체, 부틸렌테레프탈레이트·부틸렌이소프탈레이트 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 4 |
4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열차단층은, 이소보르닐 아크릴레이트에 상기 점토입자를 첨가하여 이루어지며, 상기 이소보르닐 아크릴레이트 100중량부에 대하여, 상기 점토를 0
|
| 5 |
5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열차단층에서, 상기 점토입자는 상기 기재필름과 상기 열차단층의 경계면에 대하여, 0 내지 20도, 또는 160도 내지 180도 각도로 배향되는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 6 |
6
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열선흡수층은, 상기 레진 100중량부에 대하여, 상기 전도성 고분자는 2 내지 20중량부, 상기 탄소나노튜브 또는 그래핀 중 적어도 하나는 0
|
| 7 |
7
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열선흡수층에서, 상기 페로브스카이트 구조 산화물은 ABOχ이며, 상기 A는 바륨,스트론튬, 칼슘, 칼륨, 나트륨, 란탄, 프라세오디뮴, 네오디뮴 또는 사마륨 중 하나이고, 상기 B는 전이금속, 망간, 코발트, 나이오븀 또는 텅스텐 중 하나이며, 상기 O는 산소원자이고, 상기 χ는 숫자로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 8 |
8
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열선흡수층에서, 상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT,poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) 또는 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자 중 어느 하나이며, 상기 반도체산화물은 ATO(antimony tin oxide), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 9 |
9
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 열차단층 및 상기 열선흡수층에서, 상기 레진은 에폭시계 또는 아크릴계이며, 상기 유기용매는 톨루엔, 에탄올, 메탄올, 메틸 셀루솔브(methyl cellosolve) 또는 메틸 에틸 케톤(MEK) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 10 |
10
제 2항에 있어서,상기 방열층에서, 상기 금속입자 및 상기 탄소나노튜브 입자는 상기 열선흡수층과 상기 방열층 경계면에 대하여, 40 내지 80도, 또는 100도 내지 140도 각도로 배향되는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름
|
| 11 |
11
기재필름에 이소보르닐 아크릴레이트와 점토입자를 포함하여 이루어진 열차단조성물을 도포하고, 상기 기재필름과 상기 열차단조성물의 경계면에 대하여, 상기 점토입자가 0 내지 20도, 또는 160도 내지 180도 각도로 배향되도록 연신한 후, 경화시켜 열차단층을 형성하는 열차단층 형성단계;상기 열차단층 상부에 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(Graphene) 중 적어도 하나, 반도체 산화물 또는 페로브스카이트(Perovskite) 구조 산화물 중 적어도 하나, 전도성 고분자, 유기용매 및 레진을 포함하여 이루어진 열선흡수조성물을 도포한 후, 경화시켜 열선흡수층을 형성하는 열선흡수층 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,상기 열선흡수층 상부에 금속입자, 탄소나노튜브입자, 유기용매 및 레진을 포함하여 이루어진 방열조성물을 도포하고, 상기 열선흡수층과 상기 방열조성물의 경계면에 대하여, 상기 금속입자 및 상기 탄소나노튜브입자가 40 내지 80도, 또는 100도 내지 140도 각도로 배향되도록 연신한 후, 경화시켜 방열층을 형성하는 방열층 형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 13 |
13
제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 열차단층 형성단계에서, 상기 열차단조성물은, 상기 이소보르닐 아크릴레이트 100중량부에 대하여, 상기 점토를 0
|
| 14 |
14
제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 열차단층 형성단계에서, 상기 기재필름은 폴리에스테르, 에틸렌테레프탈레이트·에틸렌이소프탈레이트 공중합체, 부틸렌테레프탈레이트·부틸렌이소프탈레이트 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 15 |
15
제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 열선흡수층 형성단계에서, 상기 열선흡수조성물은,반도체 산화물 또는 페로브스카이트(Perovskite) 구조 산화물 중 적어도 하나, 유기용매, 전도성 고분자 및 레진을 혼합하여 베이스 조성물을 제조하는 베이스 조성물 제조단계;탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(Graphene) 중 적어도 하나를 질산 100중량부에 대하여, 황산 20 내지 40중량부를 포함하여 이루어진 분산용매에 첨가하고, 상기 분산용매에 초음파를 30분 내지 3시간동안 가한 후, 10시간 내지 30시간동안 산처리하는 산처리단계;상기 산처리단계를 거친 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(Graphene) 중 적어도 하나를 상기 베이스 조성물에 첨가하여 혼합함으로써, 열선흡수조성물을 제조하는 열선흡수조성물 제조단계;를 거쳐 제조되는 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 16 |
16
제 15항에 있어서,상기 베이스 조성물 제조단계에 있어서, 상기 레진 100중량부에 대하여, 상기 전도성 고분자는 2 내지 20중량부, 상기 반도체 산화물 또는 페로브스카이트 구조 산화물 중 적어도 하나는 5 내지 30중량부, 상기 유기용매는 7 내지 40중량부를 포함하며, 상기 레진은 에폭시계 또는 아크릴계이며, 상기 유기용매는 톨루엔, 에탄올, 메탄올, 메틸 셀루솔브(methyl cellosolve) 또는 메틸 에틸 케톤(MEK) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 17 |
17
제 15항에 있어서,상기 베이스 조성물 제조단계에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 또는 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자 중 어느 하나이며, 상기 반도체산화물은 ATO(antimony tin oxide), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 또는 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조를 갖는 열저항필름의 제조방법
|
| 18 |
18
제 15항에 있어서,상기 산처리단계에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조 산화물은 상기 레진 100중량부에 대하여, 0
|
