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태양 전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014064933
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조 과정에서 기판의 변형 및 셀레늄의 휘발을 억제할 수 있는 태양 전지 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 배면 전극을 형성하는 단계; 배면 전극 상에 광흡수막용 전구체막을 형성하는 단계; 광흡수막용 전구체막에 대한 결정화 공정을 진행하여 광흡수막을 형성하는 단계; 광흡수막 상에 버퍼막을 형성하는 단계; 버퍼막 상에 윈도우막을 형성하고 윈도우막 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및 반사 방지막을 일부 패터닝하고 패터닝된 영역에 그리드 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 광 흡수막 전구체는 CuInSe2, CuInS2 Cu(InGa)Se2 또는 Cu(InGa)S2로 루어지며, CuInSe2 전구체막, CuInS2 전구체막, Cu(InGa)Se2 전구체막 또는 Cu(InGa)S2 전구체막은 각 구성 성분의 다층 구조 또는 구성 요소의 화합물로 이루어진 단일층 구조를 가질 수 있다. 전구체층에 대한 결정화 단계는 전자-빔 조사 공정을 통하여 진행된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020100035928 (2010.04.19)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0116484 (2011.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주광역시 광산구
2 이종호 대한민국 광주 광산구
3 김호성 대한민국 광주광역시 북구
4 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
5 이석호 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0248531-19
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2010.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0278031-39
3 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee
2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0039244-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0297057-99
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0801660-92
11 협의요구서
Request for Consultation
2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0801659-45
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0067642-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양 전지 제조 방법에 있어서, 기판을 제공하는 단계;기판 상에 배면 전극을 형성하는 단계;배면 전극 상에 광흡수막용 전구체막을 형성하는 단계;광흡수막용 전구체막에 대한 결정화 공정을 진행하여 광흡수막을 형성하는 단계;광흡수막 상에 버퍼막을 형성하는 단계;버퍼막 상에 윈도우막을 형성하고 윈도우막 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및반사 방지막을 일부 패터닝하고 패터닝된 영역에 그리드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 기판은 글라스로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 광흡수막용 전구체막은 CuInSe2, CuInS2, Cu(InGa)Se2, 또는 Cu(InGa)S2로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, CuInSe2 전구체막, CuInS2 전구체막, Cu(InGa)Se2 전구체막 또는 Cu(InGa)S2 전구체막은 각 구성 성분의 다층 구조 또는 구성 요소의 화합물로 이루어진 단일층 구조를 갖는 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 전구체막에 대한 결정화 단계는 전자-빔 조사 공정을 통하여 진행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP25529378 JP 일본 FAMILY
2 KR1020110116485 KR 대한민국 FAMILY
3 US20130029450 US 미국 FAMILY
4 WO2011132915 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011132915 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2013529378 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.