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진공 챔버;상기 진공 챔버 내에 배치되는 냉도가니;상기 진공 챔버 내에 배치되고, 상기 냉도가니에 UMG 실리콘을 공급하는 수단;상기 진공 챔버 내 상기 냉도가니의 상방에 배치되고, 반응성 가스를 불활성 가스에 의한 플라즈마 화염내에 유입시켜 형성된 스팀 플라즈마를 상기 냉도가니에 공급된 UMG 실리콘에 가하기 위한 스팀 플라즈마 토치;상기 진공 챔버 내 냉도가니로부터 발생되는 불순물 가스를 포집하기 위한 불순물 포집 수단을 포함하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제1항에 있어서, 상기 불순물 포집 수단은 상기 냉도가니의 상방에 냉도가니로부터 발생되는 불순물을 포함하는 진공 챔버 가스를 포획하기 위한 포획판; 상기 포획판에 일단이 연결되어 상기 포획된 진공 챔버 가스를 상기 진공 챔버 외부로 유출시키기 위한 유출관; 상기 유출관의 타단에 연결되어 상기 진공 챔버 가스에서 가스 상태의 상기 불순물을 더스트로 집진하기 위한 더스트 집진기; 상기 더스트 집진기로부터 상기 진공 챔버 가스를 전달 받아 상기 진공 챔버 가스에서 미분 상태의 상기 불순물을 걸러 불순물을 정제하기 위한 필터; 및 상기 불순물이 정제된 진공 챔버 가스를 진공 챔버 내부로 유입시키기 위한 유입관을 포함하는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제2항에 있어서, 상기 더스트 집진기는 상기 더스트를 고상으로 냉각시키는 냉각 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제2항에 있어서, 상기 불순물 포집 수단은 상기 불순물 포집판상에 냉각을 위한 냉각구조가 설치되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제1항에 있어서, 상기 스팀 플라즈마 토치는, 길이를 가지고 일측에 팁이 형성되며 음극 전원과 전기적으로 연결되는 전극봉;상기 전극봉의 길이 방향으로 상기 전극봉을 둘러싸며, 상기 전극봉과의 사이에 제1 공간을 형성하고, 양극 전원과 전기적으로 연결되는 내부 덮개;상기 길이 방향으로 상기 내부 덮개를 둘러싸며 상기 내부 덮개와의 사이에 제2 공간을 형성하는 외부 덮개; 및상기 내부 덮개에 연결되며 상기 팁을 덮고 하단에 수평 노즐 단부가 형성되며, 상기 수평 노즐 단부에 제1오리피스가 형성되는 내부노즐 덮개와, 상기 외부 덮개에 연결되며 상기 수평 노즐 단부를 제외한 상기 내부 노즐 덮개를 덮고 상기 수평 노즐 단부에 수직한 수직 노즐 단부가 상기 수평 노즐 단부의 둘레를 따라 하단까지 형성되며, 상기 수직 노즐 단부에 제2오리피스와 제3오리피스가 상기 수평 노즐 단부를 기준으로 수직 방향으로 순서대로 형성되는 외부노즐 덮개를 갖는 노즐 덮개부를 포함하고, 상기 제1오리피스로는 상기 제1공간을 통해 플라즈마 발생을 위한 불활성 가스가 공급되고, 상기 제2오리피스로는 상기 제2 공간내에 설치되는 관을 통해 스팀 플라즈마를 형성하기 위한 반응성 가스가 공급되고, 상기 제3오리피스로는 상기 제2공간을 통해 플라즈마 형성을 위한 불활성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 제2오리피스와 상기 제3오리피스는 각각 좌우 대칭되게 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 불활성 가스는 Ar인 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 반응성 가스는 H2 및 H2O로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 제1오리피스와 상기 제3오리피스로 공급되는 상기 불활성 가스에 대한 상기 반응성 가스의 비율은 0
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제5항에 있어서, 상기 전극봉 내부에 냉각구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 냉도가니는 양극 전원에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제5항에 있어서, 상기 외부 덮개와 상기 노즐 덮개부를 따라 냉각 라인들이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제1항에 있어서, 상기 스팀 플라즈마의 외부에서 스팀을 공급하기 위한 스팀발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제1항에 있어서, 상기 냉도가니는, 상기 진공 챔버 내에 배치되고, 수직축을 가지며, 유도코일에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 냉도가니는 수냉구조를 가지고 있으며, 열전도성 및 전기전도성의 금속 재료로 이루어지는 하부 개방형 냉도가니인 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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제14항에 있어서, 상기 냉도가니는 둘레방향의 적어도 일부분이 종방향의 슬릿들에 의해 상단부로부터 하단부까지 세그먼트로 분할되는 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 스팀 플라즈마 토치를 이용한 UMG 실리콘의 정련 장치
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