맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014065041
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하드마스크용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 선택비가 우수한 하드마스크막을 형성하기 위하여, 실리콘과 탄화수소 성분을 포함하는 가교 결합이 용이한 선형 구조의 화합물과 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 포토레지스트 패턴 형성 전에 피식각층 상부에 상기 하드마스크용 조성물을 도포한 다음 경화함으로써, 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보할 수 있는 하드마스크막을 형성할 수 있다.
Int. CL G03F 7/075 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01)
출원번호/일자 1020100133572 (2010.12.23)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1230529-0000 (2013.01.31)
공개번호/일자 10-2012-0071856 (2012.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.23)
심사청구항수 23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상범 대한민국 서울특별시 동대문구
2 유제정 대한민국 충청북도 진천군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0852913-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006701-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0541866-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0844145-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0844146-26
9 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0894029-09
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0666885-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 1] 상기 식에서, R1은 C1∼C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이고, R2는 C1∼C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며, R3는 C1∼C5의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며, n은 1∼10의 정수이고, m은 0∼4의 정수이다
2 2
청구항 1에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 화합물 총 중량에 대해 15∼45 중량%의 실리콘(Si) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
3 3
청구항 1에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 580∼1,600의 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
4 4
청구항 1에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a 또는 화학식 1b로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
5 5
청구항 1에 있어서,상기 하드마스크용 조성물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
6 6
청구항 5에 있어서,상기 화학식 4의 화합물은 상기 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 50∼1000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
7 7
청구항 1 또는 청구항 5에 있어서,상기 하드마스크용 조성물은 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 가교제는 벤젠고리 혹은 지방족고리 주쇄에 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는 분자량(Mw) 100∼10,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 가교제는 테트라메톡시-메틸글리코우릴 수지 또는 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 가교제는 하드마스크용 조성물 내에 상기 화학식 4의 화합물을 포함하지 않는 경우 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되고, 상기 화학식 4의 화합물을 포함하는 경우 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 50∼300중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
11 11
청구항 7에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 디올(diol) 작용기를 포함하는 분자량(Mw) 100∼5,000의 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 폴리(4-히드록시스티렌)인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
13 13
청구항 7에 있어서, 상기 가교밀도 보조수지는 하드마스크용 조성물 내에 상기 화학식 4의 화합물을 포함하지 않는 경우 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 10∼60중량부로 포함되고, 화학식 4의 화합물을 포함하는 경우 상기 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 50∼200중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
14 14
청구항 7에 있어서, 상기 촉매제는 열산발생제 또는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 열산발생제는 하기 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:[화학식 3] [화학식 4] 상기 식에서, A는 설포닐기를 포함하는 작용기이고, n은 0 또는 1이다
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 퍼플루오로 부테인설포네이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
17 17
청구항 7에 있어서, 상기 촉매제는 하드마스크용 조성물 내에 상기 화학식 4의 화합물을 포함하지 않는 경우 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 0
18 18
청구항 7에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 테트로하이드로퓨란(THF), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
19 19
청구항 7에 있어서, 상기 유기용매는 화학식 1의 화합물의 전체 100중량부에 대하여 500∼10,000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물
20 20
기판의 피식각층 상부에 청구항 1 기재의 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
21 21
청구항 20에 있어서,상기 피식각층은 실리콘산화막 또는 산화질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
22 22
청구항 20에 있어서,상기 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전, 피식각층 상부에 비정질 카본층 을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
23 23
청구항 20에 있어서,상기 경화 공정은 노광 또는 베이크 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.