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인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2014065059
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법에 관한 것으로, 전극 형성 방법에 있어서, 준비된 플라스틱 기판 또는 유리기판 중 하나를 열성형 공정 또는 식각 공정을 통해 기판 표면으로 다수의 격벽을 형성하는 단계와, 상기 격벽 사이로 전도성 물질을 프린팅하여 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 광투과율과 전도성 향상을 위한 고세장비를 갖는 전극을 용이하게 형성시킬 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100140235 (2010.12.31)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1151648-0000 (2012.05.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.31)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황준영 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 신권용 대한민국 경기도 의왕시 새롬길
3 이상호 대한민국 서울특별시 관악구
4 강경태 대한민국 서울특별시 서초구
5 강정진 대한민국 서울특별시 서대문구
6 조영준 대한민국 경기 용인시 구
7 강희석 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 공인복 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0880273-81
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0000161-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0028270-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0213991-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0213990-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0290278-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극 형성 방법에 있어서,준비된 플라스틱 기판 또는 유리기판 중 하나를 열성형 공정 또는 식각 공정을 통해 기판 표면으로 다수의 격벽을 형성하는 단계;와상기 격벽 사이로 전도성 물질을 프린팅하여 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며,상기 격벽 형성단계는,격벽이 형성된 스탬퍼와 기판을 챔버 내 성형기에 장착하는 단계;상기 챔버를 진공 상태로 전환하는 단계; 및상기 스탬퍼에 형성된 벽면 패턴이 상기 기판에 전사되도록 가열온도와 가압력, 가압시간을 제어하여 전사하는 단계;를 포함하여 구성되는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은,투명한 필름으로 구비되는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
3 3
삭제
4 4
전극 형성방법에 있어서,준비된 기판으로 식각층을 코팅하는 단계;상기 식각층을 베이킹하는 단계;상기 식각층 표면으로 포토레지스터를 코팅하는 단계;노광(Exposure) 공정과 현상 공정을 통해 상기 식각층에 코팅된 포토레지스터를 형성될 전극 패턴에 따라 현상(Development)하는 단계;상기 포토레지스터가 현상된 영역으로 노출된 상기 식각층을 식각하는 단계; 및상기 식각층이 식각된 영역에 식각되지 않는 영역을 격벽으로 활용하여 전도성 물질을 프린팅하여 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기판은,글래스 기판 또는 플라스틱 기판에 해당하는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 기판은,깊이 방향으로 이방성(Aniisotropic) 식각(Etching)이 가능한 재료인 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 식각층은,폴리이미드(Poly Imide) 수지 또는 감광성 수지(Photoresister)인 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 식각층 형성단계 전에는,폴리이미드(Poly Imide) 수지 또는 감광성 수지(Photoresister)를 이용하여 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 코팅층과 식각층 형성후에는,코팅층과 식각층을 각각 베이킹하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
10 10
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 전도성 물질은,은(Ag)을 포함하는 나노 금속 잉크인 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 코팅층과 식각층은,스핀코팅을 통해 형성시키는 것을 특징으로 하는 인쇄기법을 이용한 고세장비를 갖는 전극 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.