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금속 산화물을 포함하는 전자 전달물질;무기 반도체를 포함하는 광흡수체; 및 하기의 화학식 1로 표시되는 바이-헤테로방향족화합물인 유기 광전 물질을 포함하는 정공 전달 물질을 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 정공 전달 물질은 0
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제 1항에 있어서,상기 정공 전달 물질은 하기 화합물인 유기 광전 물질을 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전자 전달 물질은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3 및 Nb2O5로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 금속산화물을 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지
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5
제 1항에 있어서,상기 광흡수체에 의한 제1 태양광 흡수 스펙트럼 및 상기 유기 광전 물질에 의한 제2 태양광 흡수 스펙트럼을 갖는 무기-유기 이종접합 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수체는 나노입자상의 무기 반도체를 포함하여 구성되며, 상기 무기 반도체 나노입자의 크기 및 분포에 의해 흡수되는 태양광 스팩트럼이 제어되는 무기-유기 이종접합 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S 및 이들의 합금으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 무기반도체를 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지
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제 5항에 있어서,상기 제1 태양광 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크의 중심 파장은 350 내지 650nm이며, 상기 제2 태양광 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크의 중심 파장은 550 내지 800nm인 무기-유기 이종접합 태양전지
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a) 전극상에 금속산화물 입자를 함유하는 슬러리를 도포하고 열처리하여 다공성 전자 전달층을 형성하는 단계;b) 상기 다공성 전자 전달층의 금속 산화물 입자에 접하도록 무기 반도체를 포함하는 광흡수체를 형성하는 단계; 및c) 상기 광흡수체가 형성된 다공성 전자 전달층에 하기 화학식 1을 포함하는 유기 광전 물질을 도포하여 정공 전달층을 형성하는 단계; 를 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,정공 전달층은 광흡수체가 형성된 다공성 전자 전달층에 존재하는 공극을 채우고 광흡수체가 형성된 다공성 전자 전달층의 상부를 덮도록 형성되는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a) 단계에서 다공성 전자 전달층을 상기 금속산화물 입자와 동일한 금속 원소를 함유하는 금속 전구체 용해액에 함침한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 정공 전달 물질은 하기 화합물중에서 선택되는 유기 광전 물질을 포함하는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a) 단계에서 도포는 스크린 프린팅; 스핀코팅; 바-코팅; 그라비아-코팅; 블레이드 코팅; 및 롤-코팅;에서 선택된 단독 또는 이들의 조합인 방법으로 수행되는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a)단계의 금속산화물 입자는 TiO2, SnO2, ZnO, WO3 및 Nb2O5에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a)단계의 금속산화물 입자는 평균 입자 크기가 5 내지 100 nm인 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a)단계의 다공성 전자 전달층은 비표면적이 10 내지 100 m2/g인 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,a)단계의 다공성 전자 전달층은 두께가 0
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제 9항 또는 제 11항에 있어서,열처리는 공기 중에서 200 내지 550 ℃로 수행되는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,b) 단계는 화학적 용액성장법(CBD); 및 연속적인 화학적 반응법(SILAR);에서 선택된 단독 또는 이들의 조합인 방법으로 수행되어 무기 반도체의 연속층이 형성되는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,b)단계의 무기 반도체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S 및 이들의 합금에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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제 9항에 있어서,b)단계의 무기 반도체의 평균 입자 직경은 0
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제 9항에 있어서,c) 단계는 스핀코팅에 의해 수행되는 무기-유기 이종접합 태양전지 제조방법
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