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기술번호
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KST2014065415
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자료제공기관
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미래기술마당
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기술공급기관
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한국표준과학연구원
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기술명
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게이트 전극의 수분침투 방지방법
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기술개요
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본 발명은 게이트 전극의 수분침투 방지방법에 관한 것이다. 이를 위해, 폴리실리콘층, 게이트 전극층 및 유전체층을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 기판(60) 위에 유전체층(30)을 증착하는 단계(S10); 유전체층(30)의 상면에 질화막 게이트 전극층(20)을 증착하여 성막하는 단계(S20); 질화막 게이트 전극층(20)의 표면에 소수성 기능기를 가진 물질을 흡착시키는 단계(S30); 및 물질이 흡착된 질화막 게이트 전극층(20)의 상면에 폴리실리콘층(10)을 성막하는 단계(S40);를 포함하는 게이트 전극의 수분침투 방지방법을 제공하며, 이에 따라 소수성 기능기 흡착으로 인해 질화막의 성분의 변화 및 특성 변화가 없도록 하는 효과가 제공된다. 반도체, 하프늄, 질화, 게이트, 전극층, 폴리실리콘, 유전체층, 수분, 침투
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개발상태
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유사환경 테스트
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기술의 우수성
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1) 친수성 기능기로 구성된 표면을 소수성 기능기로 치환하기 위하여 게이트 전극을 만든 후 다양한 증착 및 흡착공정을 이용해 소수성 기능기를 포함한 분자를 표면에 주입
2) 질화물 게이트 전극을 차세대 반도체 소자에 사용할 경우 발생하는 수분침투에 의한 비저항 증가문제를 해결
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응용분야
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1) 수분에 민감하거나 수분 흡수 후 특성이 변하는 물질 보호가 요하는 반도체 및 디스플레이 소자 분야
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시장규모 및 동향
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가. 해외
1) 2010년 세계 반도체 제조장비의 시장규모는 2009년에 비해 4.4% 증가한 485억 달러에 이른 것으로 나타나고 있으며, 지역별로는 일본이 100억 달러로 가장 큰 것으로 나타남 (SEMI, SEMI Announces Mid-Year Consensus Forcast, 2007.7)
2) 전 공정 장비의 시장규모는 2007년에는 297.5억 달러, 2008년에는 311.8억 달러, 2009년에는 329.7억 달러, 2010년에는 352.1억 달러에 이를 것으로 전망하고 있음 (SEMI, SEMI Announces Mid-Year Consensus Forcast, 2007.7)
나. 국내
1) 국내 장비/재료산업에서 검사 및 조립 등 후공정 장비는 국산화가 진행되고 있으며 시장 규모가 크고 첨단기술이 필요한 전공정 장비는 선진국의 기술이전 기피로 국산화가 미흡한 실정 (SEMI, SEMI Announces Mid-Year Consensus Forcast, 2007.7)
2) 전체 반도체 설비투자 금액의 75%를 차지하고 있는 전 공정 장비시장에서 현재 상장되어 있는 국내 업체는 7개 정도이며, 이들 업체 중 삼성전자 매출 비중이 높은 엄체는 국제엘렉트릭, 피에스케이, 아토 정도임
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희망거래유형
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사업화적용실적
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도입시고려사항
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