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하기 화학식 1로 표시되는 중합 반복 단위(repeating unit)를 포함하는 중합체와 하기 화학식 2의 화합물과 반응에 의해 생성되는 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체
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제 1항에 있어서,상기 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체는 아크릴레이티드 실록산중합체, 아크릴레이티드 실라잔중합체, 우레탄 아크릴레이티드 실록산중합체, 우레탄 아크릴레이티드 실라잔중합체, 신나모일 실록산중합체, 신나모일 실라잔중합체, 에폭시 실록산중합체, 에폭시 실라잔중합체, 비닐 실록산중합체 또는 비닐 실라잔중합체에서 선택되는 어느 한 중합체인 것을 특징으로 하는 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질 중합체
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제 1항의 광중합성 네가티브 포토레지스트 개질중합체, 유기용제 및 광개시제를 포함하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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제 3항에 있어서,상기 유기용제는 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofurane), 톨루엔(toluene), 벤젠(benzene) 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에서 선택되는 어느 한 성분 이상이고, 상기 유기용매는 상기 중합체에 대해 80 중량% 이하로 사용되는 것을 특징으로 하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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제 3항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물은 백금 또는 로듐 촉매중 선택되는 귀금속 촉매, 또는 이광자흡수염료를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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제 5항에 있어서,상기 귀금속 촉매는 사이클로펜타디에닐메틸 트리메틸플래티늄 (η5-cyclopentadienylmethyl trimethylplatinium)인 광중합성 네거티브 포토레지스트 조성물
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7
(a) 제 3항 내지 제 6항에서 선택된 어느 한 항의 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 막을 노광원으로 노광하는 단계; 및(c) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 얻는 단계;를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법
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8
제 7항에 있어서,(b) 단계의 노광 전에 소프트 베이크 공정 또는 (b) 단계의 노광 후에 포스트 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
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9
제 7항에 있어서, 상기 노광원은 UV, E-빔 또는 레이저빔에서 선택되는 포토레지스트 패턴 형성방법
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10
제 7항에 있어서,광중합을 일으키는 노광 영역을 입체적으로 제한 선택 가교시킴으로써 2차원 혹은 3차원의 포토레지스트 패턴 형성 방법
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11
제 7항 내지 제 10항에서 선택되는 어느 한 항에 의해 제조되는 포토레지스트 패턴을 열처리하여 무기 패턴 구조물을 제조하는 방법
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제 11항에 있어서,상기 열처리는 질소 기류 하에 600℃ 내지 1200℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 무기 패턴 구조물을 제조하는 방법
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13
제 11항의 제조 방법에 의해 형성되는 무기 미세 패턴 구조물
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제 13항의 무기 미세 패턴 구조물을 사용하는 기능성 세라믹 패턴 소자
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