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1)기판을 포함하는 반응 챔버에 박막을 이루는 금속 원소와 유기 리간드를 포함하는 제1 반응물을 주입하여 상기 기판 상에 제1 반응물을 흡착시키는 단계;2)제1 반응물이 흡착된 기판에 노광하여 흡착된 제1 반응물을 활성화하는 단계; 및3)상기 반응 챔버에 산소 원자 또는 질소 원자를 함유하는 제2 반응물을 주입하여 기판 상에 흡착된 제1 반응물과 제2 반응물의 반응에 의해 산화막 또는 질화막을 형성하는 단계; 를 포함하는 금속산화막 또는 금속질화막에서 선택되는 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,박막의 제조방법은 상기 1) 내지 3) 단계로 이루어지는 1 주기(cycle)를 1회 이상 반복하여 박막을 형성하는 원자층 증착법(ALD) 또는 사이클릭 화학증착법인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 노광은 UV 램프, IR 램프, 메탈램프 또는 할로겐 램프를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 노광은 UV 램프를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 반응물은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 또는 텅스텐(W)으로부터 선택되는 금속 원소 및 유기 리간드와 결합된 금속 전구체 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 반응물은 질소 원자를 함유하는 화합물을 사용하여 금속질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제2 반응물은 암모니아인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 금속질화막은 알루미늄질화막, 갈륨질화막, 티타늄질화막, 탄탈륨질화막, 지르코늄질화막, 하프늄질화막, 텅스텐질화막 또는 이들의 혼합막인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 금속질화막은 하프늄질화막인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 하프늄질화막을 제조하기 위한 제1 반응물이 테트라키스디메틸아미도하프늄[Hf(NMe2)4], 테트라키스디에틸아미도하프늄[Hf(NEt2)4] 또는 테트라키스에틸메틸아미도하프늄[Hf(NEtMe)4]으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 1) 단계 및 3) 단계 이후에 미흡착된 제1 반응물 또는 미반응 제2 반응물을 불활성 가스의 퍼지 및 펌핑에 의해 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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