맞춤기술찾기

이전대상기술

강자성체 단결정의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014065456
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 강자성체 단결정의 제조방법은 수소의 존재 하에 강자성체 박막을 열 활성화(thermally activation)시켜 강자성체 단결정을 제조하는 특징이 있으며, 상세하게는 상기 열 활성화에 의해 상기 강자성체 박막의 표면에너지 최소화를 구동력(driving force)으로 111면족, 110면족, 및 100면족 군에서 하나 이상 선택된 저지수면(low index plane)을 표면으로 가지며, 각진 형상을 갖는 다수개의 강자성체 단결정을 제조하는 특징이 있다. 강자성체, Co, Ni, Fe, 단결정, 수소, 열처리, 결정화, 재결정
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02598(2013.01) H01L 21/02598(2013.01) H01L 21/02598(2013.01) H01L 21/02598(2013.01) H01L 21/02598(2013.01)
출원번호/일자 1020090019707 (2009.03.09)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1210958-0000 (2012.12.05)
공개번호/일자 10-2010-0101296 (2010.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.09)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하동한 대한민국 대전광역시 유성구
2 김국진 대한민국 대전광역시 서구
3 윤용주 대한민국 대전광역시 서구
4 지승묵 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0141195-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509700-75
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0015987-40
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0094073-10
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0172435-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0256162-31
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0256167-69
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0302225-80
9 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.09.05 수리 (Accepted) 7-8-2011-0024069-66
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0382050-85
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0621594-48
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0621590-66
13 등록결정서
Decision to grant
2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0707825-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
a) 기판에 10nm 내지 100nm 두께의 강자성체 박막을 형성하는 단계; 및b) 상기 강자성체 박막을 수소 함유 분위기에서 850 내지 900℃의 온도로 열처리하는 단계; 를 포함하여 강자성체 단결정을 제조하는 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 강자성체 단결정은 {111}면족을 상면으로 갖는 각진 판형(faceted shape plate)이며, 상기 강자성체 단결정은 동일한 면족을 상면으로 갖는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 b) 단계에서의 열처리는 순수 수소 가스 내지 수소가 0
6 6
제 5항에 있어서,상기 강자성체 박막은 Ni 박막인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
삭제
8 8
제 5항에 있어서,상기 b) 단계에서의 열처리는 상기 수소가스 또는 상기 혼합 가스가 10 내지 3000 sccm 흐르는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 b) 단계에서의 열처리는 0
10 10
삭제
11 11
제 6항에 있어서,상기 강자성 단결정체의 최장직경은 50nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 방법
12 12
삭제
13 13
제 3항에 있어서,상기 기판은 반도체 단결정 기판이며, 상기 기판 상부에 질화막 또는 산화막이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 기판은 SiO2, Si3N4 또는 TiN이 형성된 Si 기판인 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제 3항에 있어서,상기 강자성체 박막은 Ni이며, 상기 기판은 SiO2 산화막이 형성된 Si 기판인 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제 3항에 있어서,상기 a) 단계는 기판에 감광성 물질을 도포하고 패턴을 갖는 마스크를 이용한 노광 및 현상 후, 상기 강자성체 박막을 구성하는 강자성체 물질을 증착하고, 상기 현상 후 상기 기판에 남아 있는 감광성 물질을 리프트 오프(lift-off)시켜 상기 기판에 상기 마스크와 유사한 패턴으로 상기 강자성체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.