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전계방출소자

  • 기술번호 : KST2014065467
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 성장판 상에 다수의 탄소나노튜브를 수직으로 성장시켜 탄소나노튜브층을 형성하는 제1단계; 및 상기 성장판에서 수직으로 성장한 탄소나노튜브층의 일 측면에 접착 부재를 부착시킨 후, 상기 성장판을 기준으로 1~60°의 각도로 횡방향으로 잡아당겨 탄소나노튜브 시트를 형성하는 제2단계;를 포함하는 탄소나노튜브 시트 제조방법 및 이를 포함하는 전계 방출 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020100032821 (2010.04.09)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1126296-0000 (2012.03.06)
공개번호/일자 10-2011-0113433 (2011.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남승훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 장훈식 대한민국 대구광역시 서구
3 전상구 대한민국 부산광역시 부산진구
4 백운봉 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0228272-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0273385-06
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0573010-13
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0573008-10
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0677098-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0965565-68
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0965566-14
8 등록결정서
Decision to grant
2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0121292-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장판 상에 다수의 탄소나노튜브를 수직으로 성장시켜 탄소나노튜브층을 형성하는 제1단계; 및상기 성장판에서 수직으로 성장한 탄소나노튜브층의 일 측면에 접착 부재를 부착시킨 후, 상기 성장판을 기준으로 1~60°의 각도로 횡방향으로 잡아당겨 탄소나노튜브 시트를 형성하는 제2단계;를 포함하는 탄소나노튜브 시트 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 탄소나노튜브는 열 화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)에 의해 성장판에 수직하게 성장하는 탄소나노튜브 시트 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 길이는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 접착 부재를 잡아당기는 속도는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 시트를 기판에 적층하는 제3단계를 더 포함하고, 상기 기판은 유리, OHP 필름, 금속 또는 웨이퍼 중 어느 하나 이상인 탄소나노튜브 시트 제조방법
6 6
상면에 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 의해 제조된 탄소나노튜브 시트가 형성된 기판; 및상기 탄소나노튜브 시트와 이격 배치된 상부 전극판;을 포함하는 전계 방출 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판과 탄소나노튜브 시트 사이에 금속판이 배치된 전계 방출 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 금속판과 상부 전극판에 전압을 인가하는 전원을 더 포함하는 전계 방출 소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 시트와 마주보는 상부 전극판의 일측면에는 형광층이 형성된 전계 방출 소자
10 10
제6항에 있어서, 상기 기판과 상부 전극판 사이의 공간을 외부와 차단하는 스페이서가 형성된 전계 방출 소자
11 11
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12 12
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13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국기계연구원 나노메카트로닉스 기술개발업 나노 패턴손상 및 복합물성 측정기술 개발