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가스분자(100a)가 유입되도록 연결포트(110)가 구비되는 진공용기(100); 상기 진공용기(100)의 내벽면에 형성되는 베이스; 상기 베이스 위에 집속되는 다수의 탄소나노튜브(310)로 이루어지고 음전압의 인가에 따라 전자(300a)를 방출하는 탄소튜브층(300); 상기 베이스 위에 이격 배치되고 전계되는 상기 전자(300a)가 통과되도록 대응하는 크기의 게이트(410)가 다수 관통되는 그리드(400); 및 상기 그리드(400) 위에 일정간격을 두고 배치되고 전자(300a)의 충돌로 생성되는 상기 가스분자(100a)의 양이온(500a)을 수집하는 컬렉터(500);를 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지에 있어서,상기 베이스는 실리콘층(220) 및 상기 실리콘층(220)에 에칭된 각 홈에 내치된 철, 니켈, 코발트를 포함하는 촉매금속층(220a)을 포함하여 이루어지고,상기 탄소튜브층(300)은 상기 촉매금속층(220a) 위에 상기 탄소나노튜브(310)가 열화학 기상 증착방식으로 증착/성장되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 베이스는 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 2항에 있어서, 상기 그리드(400)는 상기 베이스 위에 소정간극을 두고 배치되는 평면구조인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 베이스는 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 4항에 있어서, 상기 그리드(400)는 상기 베이스 위에 소정간극을 두고 배치되도록 대응하는 곡률의 곡면구조인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브(310)는 일단이 상기 그리드(400)를 향하도록 규칙적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브(310)는 불규칙적으로 나열되어 혼재되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 베이스는 스크린 프린팅으로 도포되는 금속층(210)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 8항에 있어서, 상기 탄소튜브층(300)은 상기 베이스 위에 상기 탄소나노튜브(310)가 도포되어 이루어지는 것을 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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삭제
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 그리드(400)가 이격되도록 상기 그리드(400) 및 베이스 사이에는 절연성 광물로 이루어진 스페이서(600)가 개재되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 1항에 있어서, 상기 그리드(400)가 이격되도록 상기 그리드(400) 및 베이스 사이에는 절연성 폴리머계열의 수지로 이루어진 스페이서(600)가 개재되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 스페이서(600)는 상기 그리드(400) 및 컬렉터(500) 사이의 일정간격보다 상대적으로 작은 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 스페이서(600)는 상기 그리드(400) 및 컬렉터(500) 사이의 일정간격보다 상대적으로 작은 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 진공게이지
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