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나노 패턴을 이용한 기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2014065568
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속의 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법 및 그 기판에 관한 것이다. 이를 위해, 기판(30)의 일면에 나노 크기의 나노 패턴(35)을 증착하는 단계(S10); 나노패턴(35)을 열처리하여 단결정을 형성하는 단계(S30); 및 단결정 위에 유기물층 또는 무기물층을 접합하는 단계(S50)로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법이 제공된다.기판, 나노, 패턴, 증착, 열처리, 유기물, 단결정, 접합
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC B82Y 40/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060013370 (2006.02.13)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0745167-0000 (2007.07.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구자용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0101916-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081393-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0052703-22
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0102049-30
7 의견서
Written Opinion
2007.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0101967-50
8 등록결정서
Decision to grant
2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0385577-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(30)의 일면에 나노 크기의 나노 패턴(35)을 증착하는 단계(S10);상기 나노패턴(35)을 열처리하여 단결정을 형성하는 단계(S30); 및상기 단결정 위에 유기물층 또는 무기물층을 접합하는 단계(S50)로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴(35)은 10 나노미터 ~ 900 나노미터 크기인 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노 패턴(35)은 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴(35)은 복수개가 균일 간격으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴(35)은 금속재인 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 증착단계(S10)는,상기 기판(30) 상에 나노 크기의 웰(40)을 식각하는 단계; 및상기 웰(40) 내부에 상기 나노 패턴(35)을 위치시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴을 이용한 기판 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.