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기판(10)의 소정위치에 소정 크기의 촉매입자(20)를 위치시키는 단계(S100); 및상기 촉매입자(20)의 상부나 하부로부터 하나의 나노선(30)을 성장시키는 단계(S150);로 구성되는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선 의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매입자(20)는 철, 코발트, 니켈, 금, 백금, 팔라듐, 또는 구리들중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매입자(20)는 직경이 3 nm ~ 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 위치단계(S100)에서 상기 촉매입자(20)는 포토리소그라피 기술에 의해 위치되는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 성장단계(S150)는 아크방전 또는 열화학기상증착법(TCVD)을 포함하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 성장하는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노선(30)은 반도체 나노선(30)인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노선(30)의 직경은 1 nm ~ 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선의 성장방법
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기판(10)의 소정위치에 포토리소 그라피 기술에 의해 위치되는 소정 크기의 철, 코발트, 니켈, 금, 백금, 팔라듐 또는 구리들중 적어도 어느 하나를 포함하는 직경이 3㎚ ~ 50㎚ 범위인 촉매입자(20); 및상기 촉매입자(20)의 상부나 하부로부터 아크방전 또는 열화학기상증착법(TCVD)을 포함하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 성장되는 반도체 나노선인 직경이 1㎚ ~ 50㎚ 범위인 하나의 나노선(30) ;을 포함하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노선
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기판(10)의 소정위치에 소정 크기의 촉매입자(20)를 위치시키는 단계(S100); 및상기 촉매입자(20)의 상부나 하부로부터 하나의 나노튜브(40)를 성장시키는 단계(S150);로 구성되는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매입자(20)는 철, 코발트, 니켈, 금, 백금, 팔라듐, 또는 구리들중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매입자(20)는 직경이 3 nm ~ 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 위치단계(S100)에서 상기 촉매입자(20)는 포토리소그라피 기술에 의해 위치되는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 성장단계(S150)는 아크방전 또는 열화학기상증착법(TCVD)을 포함하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 성장하는 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 나노튜브(40)는 탄소나노튜브(40)인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브(40)의 직경은 1 nm ~ 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브의 성장방법
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기판(10)의 소정위치에 포토리소 그라피 기술에 의해 위치되는 소정 크기의 철, 코발트, 니켈, 금, 백금, 팔라듐 또는 구리들중 적어도 어느 하나를 포함하는 직경이 3㎚ ~ 50㎚ 범위인 촉매입자(20); 및상기 촉매입자(20)의 상부나 하부로부터 아크방전 또는 열화학기상증착법(TCVD)을 포함하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 성장되는 탄소나노튜브인 직경이 1㎚ ~ 50㎚ 범위인 하나의 나노튜브(40);를 포함하는 소정 크기의 촉매입자를 이용한 나노튜브
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