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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 압전소자는 압전변형상수 값이 700이고 압전전압상수 값이 19
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 압전소자는 지름 대 두께 비가 2 : 1인 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서, 상기 전면 정합층 부재는 2
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청구항 4에 있어서,상기 전면 정합층 부재는 실리콘 러버에 100㎛ 입자 크기의 텅스텐 분말이 배합되어 구성된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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청구항 5에 있어서,상기 전면 정합층 부재는 실리콘 러버와 100㎛ 입자 크기의 텅스텐 분말이 중량비율 1 : 2
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청구항 4에 있어서,상기 전면 정합층 부재는 아크릴로 구성된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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청구항 4에 있어서,상기 전면 정합층 부재는 테프론으로 구성된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 전면 정합층 부재의 과실 접촉 부분은 곡률이 60mm인 곡면 구조로 된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서, 상기 후면재는 에폭시 접합제, 150㎛ 입자 크기의 실리콘 카바이드 분말, 그리고 1㎛ 입자 크기의 텅스텐 분말이 중량비율 1 : 2 : 1로 배합되어 구성된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 후면재는 에폭시 접합제와 1㎛ 입자 크기의 텅스텐 분말이 중량비율 1 : 2로 배합되어 구성된 것을 특징으로 하는 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 압전소자가 압전변형상수 값 700, 압전전압상수 값 19
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과실의 물성 측정을 위하여 과실의 표면에 초음파를 입사하고 과실을 투과한 초음파를 수신하는 한편, 케이싱과, 상기 케이싱의 후단에 설치된 커넥터와, 상기 케이싱의 내부에 내설되고 상기 커넥터와는 와이어를 통해 연결되는 원형의 압전소자와, 상기 케이싱에서 압전소자의 후방에 내설되어 압전소자의 진동을 제한하는 댐퍼 역할의 후면재와, 과실의 표면과 직접 접촉하게 되는 부분으로 상기 케이싱의 전면에 설치되어 상기 압전소자의 전방에 위치되는 전면 정합층 부재를 포함하여 구성되고, 상기 전면 정합층 부재에서 그 전면에 해당하는 과실 표면과 접촉하는 부분은, 초음파 집속 효과 및 초음파 투과 효율을 높이면서 초음파 누설이 최소화될 수 있도록, 과실 표면의 곡면과 매칭될 수 있는 곡면 구조로 된 과실의 물성 측정을 위한 초음파 탐촉자에 있어서,상기 압전소자가 압전변형상수 값 700, 압전전압상수 값 19
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