기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법

기술번호 : KST2014065852
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 일 실시예에 의하면, 열전박막의 열에너지 변환 현상을 토대로 입력신호를 조절함으로써 전류 제어를 시도할 수 있는 새로운 형태의 반도체 소자를 제공할 수 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 기판; 기판 상에 형성된 소스 전극; 기판 상에 형성된 드레인 전극; 및 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 사이로 형성되고, 인가되는 입력신호에 대응하여 열에너지를 생성하는 열전박막을 포함하는 게이트 전극;을 포함하고, 기판은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 생성된 열에너지에 기반하여 전류가 흐를 수 있는 전류 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자를 포함한다.
Int. CL	H01L 35/02 (2006.01)
CPC	H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자	1020100105849 (2010.10.28)
출원인	한국표준과학연구원
등록번호/일자	10-1146301-0000 (2012.05.08)
공개번호/일자	10-2012-0044538 (2012.05.08) 문서열기
공고번호/일자	(20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.10.28)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	강상우	대한민국	대전광역시 유성구
2	윤주영	대한민국	서울특별시 양천구
3	임종연	대한민국	대전광역시 유성구
4	김진태	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인다나	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 길 , 신관 층~층, *층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원		대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2010-0699974-76
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.09.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0077527-57
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.01.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0053394-47
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.03.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0252535-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0252536-55
7	등록결정서 Decision to grant	2012.04.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0250870-90
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 형성된 소스 전극;상기 기판 상에 형성된 드레인 전극; 및상기 기판 상에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이로 형성되며, 입력신호의 주파수에 기초하여 열에너지를 생성하는 열전박막을 포함하는 게이트 전극;을 포함하고,상기 기판은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 전류 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
2	2 제 1항에 있어서,상기 열전박막 상으로 연결된 메탈 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
3	3 제 1항에 있어서,상기 생성된 열에너지는 상기 입력신호의 주파수에 비례하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
4	4 제 1항에 있어서,상기 기판은 P형 기판 또는 N형 기판인 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
5	5 제 4항에 있어서, 상기 기판은, 상기 P형 기판인 경우 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 각 하부로 N형 불순물이 첨가된 것이며, 그리고상기 N형 기판인 경우 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 각 하부로 P형 불순물이 첨가된 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
6	6 제 1항에 있어서,상기 열전박막은 Bi-Te계 합금 소재 또는 Bi에 Sb를 도핑한 소재 또는 Te에 Se를 도핑한 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
7	7 제 1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판과의 반응성을 줄이기 위해 상기 기판과 상기 열전박막 사이에 Co, Mo, TiN, TaN, Ge, SiGe, SiO2 및 ZrO2 중 적어도 하나의 소재로 형성된 반응 방지층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자
8	8 삭제
9	9 기판 상으로 소스 전극 및 드레인 전극 각각에 대응하는 불순물이 주입되는 단계(S110); 및상기 기판 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이로 열전물질이 박막 형성되는 단계(S120);를 포함하는 열전박막을 이용한 반도체 소자의 제조방법
10	10 제 9항에 있어서,상기 불순물 주입단계(S110)와 상기 열전물질의 박막 형성단계(S120) 사이에,상기 기판 상으로 Co, Mo, TiN, TaN, Ge, SiGe, SiO2 및 ZrO2 중 적어도 하나의 소재로 반응 방지층이 형성되는 단계(S115);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자의 제조방법
11	11 입력신호 인가부가 기판 상에 형성된 열전박막으로 입력신호를 인가하는 단계(S210);상기 열전박막이 상기 입력신호의 주파수에 기초하여 열에너지를 생성하는 단계(S220);상기 기판이 상기 생성된 열에너지를 공급받아 온도가 변화되는 단계(S230); 및상기 온도의 변화에 기초하여 상기 기판 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전류 채널 크기가 조절되는 단계(S240);를 포함하는 열전박막을 이용한 반도체 소자의 전류 제어방법
12	12 제 11항에 있어서,상기 열전박막의 열에너지 생성단계(S220)에서,상기 생성되는 열에너지는 상기 주파수에 비례하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자의 전류 제어방법
13	13 제 11항에 있어서,상기 열전박막의 열에너지 생성단계(S220)와 상기 기판의 온도 변화단계(S230) 사이에는,반응 방지층이 상기 열전박막과 상기 기판 사이에 위치하여 상기 생성된 열에너지를 상기 기판에 전달하는 단계(S225);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자의 전류 제어방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1146301-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20101028 출원 번호 : 1020100105849 공고 연월일 : 20120521 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120430 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 35/02 발명의 명칭 : 열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 존속기간(예정)만료일 : 20190509

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2012년 05월 09일	납입
제 4 년분	금 액	212,800 원	2015년 04월 30일	납입
제 5 년분	금 액	212,800 원	2016년 04월 25일	납입
제 6 년분	금 액	212,800 원	2017년 04월 12일	납입
제 7 년분	금 액	278,000 원	2018년 04월 18일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2010-0699974-76
2	선행기술조사의뢰서	2011.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.09.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0077527-57
4	의견제출통지서	2012.01.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0053394-47
5	[명세서등 보정]보정서	2012.03.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0252535-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0252536-55
7	등록결정서	2012.04.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0250870-90
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
9	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
11	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72


기술번호	KST2014065852
자료제공기관	미래기술마당
기술공급기관	한국표준과학연구원
기술명	열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법
기술개요	본 발명의 일 실시예에 의하면, 열전박막의 열에너지 변환 현상을 토대로 입력신호를 조절함으로써 전류 제어를 시도할 수 있는 새로운 형태의 반도체 소자를 제공할 수 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 기판; 기판 상에 형성된 소스 전극; 기판 상에 형성된 드레인 전극; 및 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 사이로 형성되고, 인가되는 입력신호에 대응하여 열에너지를 생성하는 열전박막을 포함하는 게이트 전극;을 포함하고, 기판은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 생성된 열에너지에 기반하여 전류가 흐를 수 있는 전류 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자를 포함한다.
개발상태	유사환경 테스트
기술의 우수성	1) 열전박막의 에너지변환 현상을 토대로 새로운 형태의 반도체 소자인 열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 기판에 열전박막을 형성하고 이에 입력신호를 인가함으로써 반도체 기판에 흐르는 전류를 제어할 수 있는 열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법- 다양한 시장에서의 활용가능한 특허임. 특히 메모리소자나 온도센싱센서로의 활용도가 높음- 기술이전 및 상용화에 기여 가능함
응용분야	1) 반도체 설비 및 장치
시장규모 및 동향	가. 해외 1) 온도센서의 시장은 가전제품, 보일러, 자동차, 철강, 섬유, 화학 공업 등 제조공정상의 온도를 모니터링하기 위한 요구에 의해 시장이 증가해 왔음 2) 센서 형태 로별 백금저항온도센서, 써미스터와 열전대가 전체시장의 27%로 가장 점유율이 높고 적외선이나 열복사를 이용한 비접촉식 온도센서가 15%, 반도체미세가공기술을 이용한 초소형, 고기능 스마트센서가 13%의 시장을 점유하고 있고, 년 10% 이상의 고성장을 하고 있어 향후 비접촉식과 스마트센서가 온도센서시장을 주도할 것으로 예상됨 3) 에너지, 안전등에 대한 관심의 증가로 이 분야의 시장이 급속히 확대될 것으로 보이며 온도센서시장 전체로는 꾸준한 성장세가 유지될 것으로 전망 나. 국내 1) 국내 온도센서시장은 가전제품, 보일러, 자동차분야의 수요가 90% 이상을 차지하고 있음 2) 수입 규모는 약 250억원(3,117만$)으로 전체 수요의 50% 정도를 수입에 의존하고 있으며 수입의 80%가 서미스터이며 수출은 29억원(365만$)으로 동남아지역에 편중되어 있는 실정임 3) NTC서미스터는 태평양시스템, 대우전자부품, 성현, 신호전자 부품 등이 소재를 수입하여 소자를 생산하고 있으며, PTC서미스터는 동양산전, 쌍용양회, 동양시멘트 등이 소자를 국산화하여 생산 중에 있음
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345136078
세부과제번호	K10007
연구과제명	전략소재 첨단측정 기술개발(일반)
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	기초기술연구회
연구주관기관명	한국표준과학연구원
성과제출연도	2010
연구기간	201001~201012
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020120130433]	고분해능 X-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법	새창보기
[1020120128253]	웨이퍼 면방위 측정용 홀더 및 이를 포함하는 측정 장치	새창보기
[1020100109717]	수소가스농도 측정장치	새창보기
[1020100105849]	열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법	새창보기
[1020100100820]	탄소나노튜브 시트를 이용한 수소센서 및 그 제조방법	새창보기
[1020100099243]	코발트 박막의 선택적 증착방법	새창보기
[1020100094125]	차압계 교정 장치 및 압력계 교정장치	새창보기
[1020100079155]	열전 박막의 형성 방법 및 열전 박막 제조 장치	새창보기
[1020100053835]	반도체 제조 공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템 및 이를 이용한 방법	새창보기
[1020100044745]	선상 수소재료 내장형 앰풀 시험편 및 이를 이용한 인장 시험 방법	새창보기
[1020100039570]	반도체 표면 검사장치 및 이를 이용한 반도체의 절연층에 형성된 핀홀 검사방법	새창보기
[1020100004650]	열분해관 침탄도 측정장비 및 측정방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2019004806][한국표준과학연구원]	다중 다열 배열식 열전 발전장치 및 그 제조방법	새창보기
[KST2017008480][한국표준과학연구원]	웨어러블 열전 장치(Wearable thermoelectric device)	새창보기
[KST2015179517][한국표준과학연구원]	유연성 박막 어레이형 온도센서 및 그 제조방법	새창보기
[KST2017008482][한국표준과학연구원]	열전소재를 이용한 GSR 센서 및 그 형성 방법(GSR sensor having thermoelectric materials and method of manufacturing the same)	새창보기
[KST2015179942][한국표준과학연구원]	열전소자 집합체, 열전모듈, 온도센서, 펠티어 장치 및 열전모듈 제조방법	새창보기
[KST2019028061][한국표준과학연구원]	열전효과를 이용하는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법	새창보기
[KST2019028043][한국표준과학연구원]	유연 박막 다층형 열전발전장치 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015179867][한국표준과학연구원]	열전모듈 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전모듈	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택