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기판의 표면을 따라 스캐닝되는 탐침 및 캔틸레버를 구비하는 원자현미경;상기 원자현미경과 상기 기판에 전자빔을 조사하는 경통과, 상기 경통에서 조사되는 상기 전자빔에 의해 상기 기판에서 발생되는 이차전자를 검출하는 전자 검출기를 구비하는 전자현미경; 및상기 전자현미경으로 상기 원자현미경과 상기 기판을 모니터링 할 때, 상기 기판에서 방출되는 상기 이차전자의 경로를 왜곡하여 상기 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 왜곡 유닛을 포함하는 융합계측장치
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제 1 항에 있어서,상기 왜곡 유닛은 전기장으로 상기 이차전자의 경로를 왜곡하는 전극을 포함하는 융합계측장치
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제 2 항에 있어서,상기 전극은 상기 이차전자를 인력으로 끌어당기는 양의 전하로 대전되는 애노드를 포함하는 융합계측장치
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제 3 항에 있어서,상기 전극은 상기 전자 검출기에 대향되는 상기 전자총 경통의 맞은편에 형성된 융합계측장치
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제 4 항에 있어서,상기 전극은 상기 전자현미경의 상기 경통 말단의 표면에 형성된 융합계측장치
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제 2 항에 있어서,상기 왜곡 유닛은 자기장으로 상기 이차전자의 경로를 왜곡하는 복수개의 영구자석을 더 포함하는 융합계측장치
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제 6 항에 있어서,상기 복수개의 영구자석은 상기 전자 검출기, 상기 경통, 및 상기 전극이 이루는 평면의 전후에서 서로 다른 극성으로 마주보게 배치된 융합계측장치
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기판을 이동시키는 스캐너와, 상기 스캐너에 의해 이동되는 상기 기판의 표면을 따라 스캐닝되는 탐침과, 상기 탐침을 고정하는 캔틸레버를 구비한 원자현미경; 상기 기판의 단면과 상기 원자현미경의 상기 탐침이 이루는 평면에 수직으로 전자빔을 조사하는 경통과, 상기 경통에서 조사되는 상기 전자빔에 의해 상기 기판에서 발생되는 이차전자를 검출하는 전자 검출기를 포함하는 전자현미경; 및상기 전자현미경으로 상기 원자현미경과 상기 기판을 모니터링 할 때, 상기 기판에서 방출되는 상기 이차전자의 경로를 왜곡하여 상기 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 왜곡 유닛을 포함하는 융합계측장치
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삭제
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제 8 항에 있어서,상기 왜곡 유닛은 전기장으로 상기 이차전자의 경로를 왜곡하는 전극을 포함하는 융합계측장치
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제 10 항에 있어서,상기 왜곡 유닛은 자기장으로 상기 이차전자의 경로를 왜곡하는 복수개의 영구자석을 더 포함하는 융합계측장치
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