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재생가능한 에너지 자원지도 시스템

  • 기술번호 : KST2014066162
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함한다.본 발명은, 고온에서 동시진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발 공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn 손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명의 제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe 태양전지의 광전변환효율이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130042782 (2013.04.18)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1406704-0000 (2014.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽지혜 대한민국 대전 서구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
3 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
4 신기식 대한민국 대전 유성구
5 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
6 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
7 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
8 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
9 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
10 박상현 대한민국 대전 유성구
11 박주형 대한민국 대전 유성구
12 유진수 대한민국 서울특별시 노원구
13 최혜림 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0338351-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0153348-49
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0215789-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0215791-48
6 등록결정서
Decision to grant
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0374795-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
동시진공증발공정으로 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
2 2
동시진공증발공정으로 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및상기 기판의 온도를 내리면서, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 단계 a에서, 상기 기판의 온도가 450℃ 이상에서 600℃ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 단계 b를, 상기 기판의 온도가 360℃ 이상에서 450℃ 미만의 범위가 될 때까지 수행하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
5 5
CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-1);상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-2);상기 기판의 온도를 내리면서, Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-1); 및상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
6 6
CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-1);상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-2);상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-1); 및상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
7 7
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 b-2에서, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
8 8
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 a-1에서, 상기 기판의 온도가 450℃ 이상에서 600℃ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
9 9
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 b-2가 수행되는 상기 기판의 온도가 360℃ 이상에서 450℃ 미만의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법
10 10
청구항 1, 청구항 2, 청구항 5 및 청구항 6 중에 하나의 방법으로 제조된 CZTSe 광흡수층 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105340081 CN 중국 FAMILY
2 WO2014171760 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105340081 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105340081 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 WO2014171760 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 비진공 Roll-to-Roll 공정 기반 CIGS 박막 모듈 개발