요약 | 본 발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함한다.본 발명은, 고온에서 동시진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발 공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn 손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명의 제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe 태양전지의 광전변환효율이 향상되는 효과가 있다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020130042782 (2013.04.18) |
출원인 | 한국에너지기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1406704-0000 (2014.06.02) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20140612) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.04.18) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전 서구 |
2 | 윤재호 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
3 | 안승규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 신기식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 안세진 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 조아라 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
7 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
8 | 어영주 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
9 | 조준식 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
10 | 박상현 | 대한민국 | 대전 유성구 |
11 | 박주형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
12 | 유진수 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
13 | 최혜림 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0338351-34 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0153348-49 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0215789-56 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0215791-48 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0374795-17 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 동시진공증발공정으로 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
2 |
2 동시진공증발공정으로 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및상기 기판의 온도를 내리면서, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
3 |
3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 단계 a에서, 상기 기판의 온도가 450℃ 이상에서 600℃ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
4 |
4 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 단계 b를, 상기 기판의 온도가 360℃ 이상에서 450℃ 미만의 범위가 될 때까지 수행하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
5 |
5 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-1);상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-2);상기 기판의 온도를 내리면서, Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-1); 및상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
6 |
6 CZTSe 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-1);상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a-2);상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-1); 및상기 기판의 온도를 유지하면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b-2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
7 |
7 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 b-2에서, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
8 |
8 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 a-1에서, 상기 기판의 온도가 450℃ 이상에서 600℃ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
9 |
9 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 단계 b-2가 수행되는 상기 기판의 온도가 360℃ 이상에서 450℃ 미만의 범위인 것을 특징으로 하는 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 |
10 |
10 청구항 1, 청구항 2, 청구항 5 및 청구항 6 중에 하나의 방법으로 제조된 CZTSe 광흡수층 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN105340081 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | WO2014171760 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN105340081 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN105340081 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | WO2014171760 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국에너지기술연구원 | 한국에너지기술연구원 주요사업 | 비진공 Roll-to-Roll 공정 기반 CIGS 박막 모듈 개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1406704-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20130418 출원 번호 : 1020130042782 공고 연월일 : 20140612 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140529 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 31/06 발명의 명칭 : 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2014년 06월 03일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 03월 08일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 130,000 원 | 2018년 04월 16일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 130,000 원 | 2019년 03월 26일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2020년 03월 09일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0338351-34 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
3 | 의견제출통지서 | 2014.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0153348-49 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0215789-56 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0215791-48 |
6 | 등록결정서 | 2014.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0374795-17 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
기술번호 | KST2014066162 |
---|---|
자료제공기관 | 미래기술마당 |
기술공급기관 | 한국에너지기술연구원 |
기술명 | 재생가능한 에너지 자원지도 시스템 |
기술개요 |
본 발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 a); 및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn 및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계(단계 b)를 포함한다.본 발명은, 고온에서 동시진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발 공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn 손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명의 제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe 태양전지의 광전변환효율이 향상되는 효과가 있다. |
개발상태 | 파일럿현장 테스트 |
기술의 우수성 |
1) 기술의 특징
- 태양에너지 자원량 데이터 및 소프트웨어와 분석 노하우를 활용하여 태양에너지 설비의 적지를 선별 - 지점에 대한 에너지 생산량 및 경제성을 평가 2) 기술의 장점 - 축적한 데이터, 소프트웨어, 분석 know-how - 신뢰성 있는 분석 프로세스 생성 - 지속적인 모니터링이 가능한 측정 네트워크 구축 |
응용분야 | 1) 태양에너지 설비 보급을 위한 분석 도구 |
시장규모 및 동향 |
1) 2010년 세계 신재생에너지 시장은 2,430억 달러, 2020년까지 1조 달러로 급성장할 것으로 전망 International Energy Outlook, IEA 2) 성장하는 시장에 따라 에너지 설비비용 또한 증가하고 있으며, 신재생에너지 설비 도입을 위한 평가비용은 전체 시장의 5~10%로 추산 3) 국내 신재생에너지 시장의 경우 예비 feasibility study에 의해 절감/파생되는 규모는 500억원에 이름 |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415121139 |
---|---|
세부과제번호 | KIER-B12408 |
연구과제명 | 이산화탄소 분리소재 및 포집공정개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200901~201112 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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