요약 | 태양전지에 사용되는 광흡수층으로 사용되는 CI(G)S박막 제조 공정에서 Chelating Agent가 첨가하여, 광흡수층의 원료로 사용되는 CuI, InI3 및 Na2Se의 용해시 Cu 또는 In 과 complex를 형성하여 Se 이온과 결합을 구조적으로 방해함으로써, 크기가 작은 입자를 만들 수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의 크기를 줄이고, 조성의 균일도가 향상된 CI(G)S박막을 제조할 수 있다. 또한, 크고 각 공정별로 셀렌화 공정 조건의 변화시켜야 하고, 또한, 공정 조건의 변화가 적합하지 않을 경우, 제조된 흡수층이나 CI(G)S박막의 조성이 균일도가 떨어지는 기존의 흡수층이나 CI(G)S박막 제조 방법의 문제점을 해소할 수 있다. |
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Int. CL | H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020120151848 (2012.12.24) |
출원인 | 한국에너지기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1508132-0000 (2015.03.27) |
공개번호/일자 | 10-2014-0082880 (2014.07.03) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20150406) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.12.24) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 어영주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 조아라 | 대한민국 | 서울 관악구 |
3 | 조준식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 박주형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
6 | 윤재호 | 대한민국 | 대전 중구 |
7 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전 서구 |
8 | 신기식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
9 | 안세진 | 대한민국 | 대전 유성구 |
10 | 안승규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
11 | 유진수 | 대한민국 | 서울 노원구 |
12 | 박상현 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한상수 | 대한민국 | 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1069514-36 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0133041-70 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0390350-32 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.05.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0479866-98 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0479860-14 |
7 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2014.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0666066-67 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1161892-85 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.11.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1161894-76 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
11 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.03.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0190900-90 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법에 있어서, (i) 기판(Substrate)을 준비하는 단계;(ii) 상기 기판(Substrate) 상에서 피리딘(pyridine)을 용매로 한 CuI와 InI3 혼합용액과, 메탄올(Methanol)을 용매로 한 Na2Se 용액을 반응시켜, 나노파티클(Nanoparticle) 상태의 CuInSe2와 부산물인 NaI 얻는 혼합 단계;(iii) 상기 나노파티클 상태의 CuInSe2와 NaI을 원심 분리하여 나노파티클 상태의 CuInSe2를 분리하는 단계;(iv) 상기 분리된 나노파티클 상태의 CuInSe2를 태양전지의 후면전극층 위에 코팅하는 단계;(v) 상기 코팅된 CuInSe2를 열처리하여 셀렌화를 통해 CuInSe2 박막을 얻는 단계;를 포함하며,상기 (ii) 단계의 상기 혼합 단계는, Cu 또는 In 과 착화합물(complex)을 형성하기 위한 킬레이트제(Chelating Agent)가 첨가되는 단계를 포함하며,상기 킬레이트제(Chelating Agent)는 β-diketone 류, Heterocyclic Amine 류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 청구항 1항에 있어서, 상기 β-diketone 류는 Beta-Diketone, 2,4-Hexanedione, 5-Methyl-2,4-hexanedione, 2,2-Dimethyl-3,5-hexanedione, 3,5-Heptanedione, 2-Methyl-3,5-Heptanedione, 2,2-Dimethyl-3,5-Heptanedione, 2,6-Dimethyl-3,5-Heptanedione, 2,2,6-Trimethyl-3,5-Heptanedione, 2,2,6,6-Trimethyl-3,5-Heptanedione 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법 |
5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 Heterocyclic Amine 류는 pyrrolidine, pyrrole, Imidazole, porphyrin, pyridine, pyrimidine, 2,2’-bipyridine, 1,10-phenanthroline 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법 |
6 |
6 청구항 1항에 있어서,상기 (iii) 단계에서, 원심 분리 단계는 메탄올(Methanol)에서 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법 |
7 |
7 청구항 1항에 있어서, 상기 (iv) 단계에서,상기 나노파티클 상태의 CuInSe2를 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 스프레이코팅(spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr |
8 |
8 청구항 1항에 있어서, 상기 (v) 단계에서, 상기 코팅된 CuInSe2를 300 내지 700 ℃ 의 온도에서 열처리하여 셀렌화를 통해 CuInSe2 박막을 얻는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법 |
9 |
9 태양전지 제조 방법에 있어서,(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 후면전극층을 증착하는 단계;(3) 상기 청구항 1 및 청구항 4 내지 청구항 8의 방법 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 CI(G)S박막을 광흡수층으로 증착하는 단계;(4) 버퍼층을 증착하는 단계;(5) 투명전도층을 증착하는 단계;(6) 반사방지막을 전면전극층이 형성되는 영역을 제외한 부분에 증착하는 단계;(7) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분에 전면전극층을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
10 |
10 청구항 9에 있어서, 상기 기판은 유리, 세라믹, 스테인레스 스틸(stainless steel), 폴리머(polymer), 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
11 |
11 청구항 10에 있어서, 상기 후면전극층은 Mo, Ni, Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
12 |
12 청구항 11에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, InxSey, Zn(O,S,OH)x, In(OH)xSy, ZnInxSey, ZnSe 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
13 |
13 청구항 12에 있어서, 상기 투명전도층은 ZnO 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
14 |
14 청구항 13에 있어서, 상기 투명전도층은 하부막인 ZnO 위에 상부막인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 2중 구조로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
15 |
15 청구항 9에 있어서, 상기 반사방지막은 MgF2 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
16 |
16 청구항 9에 있어서, 상기 전면전극층은 Al, Ag, Ni, M 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014104523 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014104523 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국에너지기술연구원 | 한국에너지기술연구원 주요사업 | 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발 |
특허 등록번호 | 10-1508132-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20121224 출원 번호 : 1020120151848 공고 연월일 : 20150406 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150323 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 31/0749 발명의 명칭 : CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2015년 03월 27일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2018년 02월 09일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 174,000 원 | 2018년 12월 11일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 174,000 원 | 2019년 12월 10일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1069514-36 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
3 | 의견제출통지서 | 2014.02.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0133041-70 |
4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0390350-32 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.05.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0479866-98 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0479860-14 |
7 | 최후의견제출통지서 | 2014.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0666066-67 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1161892-85 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.11.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1161894-76 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
11 | 등록결정서 | 2015.03.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0190900-90 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
기술번호 | KST2014066190 |
---|---|
자료제공기관 | 미래기술마당 |
기술공급기관 | 한국에너지기술연구원 |
기술명 | 플렉서블 CIGS 박막 태양전지 기술 |
기술개요 |
태양전지에 사용되는 광흡수층으로 사용되는 CI(G)S박막 제조 공정에서 Chelating Agent가 첨가하여, 광흡수층의 원료로 사용되는 CuI, InI3 및 Na2Se의 용해시 Cu 또는 In 과 complex를 형성하여 Se 이온과 결합을 구조적으로 방해함으로써, 크기가 작은 입자를 만들 수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의 크기를 줄이고, 조성의 균일도가 향상된 CI(G)S박막을 제조할 수 있다. 또한, 크고 각 공정별로 셀렌화 공정 조건의 변화시켜야 하고, 또한, 공정 조건의 변화가 적합하지 않을 경우, 제조된 흡수층이나 CI(G)S박막의 조성이 균일도가 떨어지는 기존의 흡수층이나 CI(G)S박막 제조 방법의 문제점을 해소할 수 있다. |
개발상태 | 파일럿현장 테스트 |
기술의 우수성 |
1) 기술의 특징
- 금속 또는 플라스틱 등의 유연기판에 적합한 CIGS 박막 태양전지 기술 - CIGS 박막 태양전지의 고효율화를 위한 단위공정 확보 2) 기술의 장점 - CIGS 박막 태양전지 변환효율 향상 - 플렉서블 박막 태양전지 제조에 적합한 공정 - 태양전지 이외의 관련분야에도 적용 가능 |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 |
1) 기술의 시장성(규모/성장률/경쟁력) - 태양전지 시장은 2000년 이후로 연평균 50%이상으로 성장 - 신재생에너지 보급 확대에 따라 향후에도 시장이 계속적으로 성장할 것으로 예측 - 건물일체형 태양광 발전뿐만 아니라, 휴대용, 군용기기의 전원으로 활용될 수 있는 플렉서블 박막 태양전지 시장규모가 크게 증가할 것으로 전망 |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415127615 |
---|---|
세부과제번호 | KIER-B22401 |
연구과제명 | 차세대태양전지기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201201~201412 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
[1020120151855] | CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. | 새창보기 |
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