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결정질 실리콘 태양전지 제조기술

  • 기술번호 : KST2014066191
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 (a) 제1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 전면에, 상기 실리콘 태양전지의 전면전극의 형성 위치에 대응하는 개구부를 가지도록 마스킹 페이스트를 이용하여 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 개구부를 통해 노출된 상기 실리콘 기판의 전면의 제1 영역에 제2 도전형 불순물이 함유된 도핑 페이스트를 프린팅하여 건조하는 단계; (c) 상기 패턴을 제거하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판을 제1 열처리하여, 상기 도핑 페이스트에 함유된 제2 도전형 불순물을 상기 제1 영역을 통해 상기 실리콘 기판 내부로 제1 확산시킴으로서 제1 에미터층을 형성하는 단계; 및 (e) 제2 도전형 불순물을 도핑하기 위한 도핑가스 분위기에서 상기 실리콘 기판을 제2 열처리하여, 제2 에미터층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 본 발명은 패턴을 이용하여 증착된 도핑 페이스트의 넓게 퍼지는 현상을 억제함으로써 전면전극과 에미터층 사이의 접촉저항을 일정 수준 이하로 작게 유지할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120081217 (2012.07.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1414570-0000 (2014.06.26)
공개번호/일자 10-2014-0016446 (2014.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.25)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송희은 대한민국 인천 중구
2 강민구 대한민국 대전 중구
3 이정철 대한민국 울산 울주군
4 강기환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0595150-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0084052-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0727060-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-1066647-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1066648-65
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0127532-90
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0347801-24
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0347800-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0431132-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 제1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 전면에, 전면전극의 형성 위치에 대응하는 개구부를 가지도록 마스킹 페이스트를 이용하여 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 개구부를 통해 노출된 상기 실리콘 기판의 전면의 제1 영역에 제2 도전형 불순물이 함유된 도핑 페이스트를 프린팅하여 건조하는 단계;(c) 상기 마스킹 페이스트에 의해 형성된 패턴을 제거하는 단계;(d) 상기 실리콘 기판을 제1 열처리하여, 상기 도핑 페이스트에 함유된 제2 도전형 불순물을 상기 제1 영역을 통해 상기 실리콘 기판 내부로 제1 확산시킴으로서 제1 에미터층을 형성하는 단계; 및(e) 제2 도전형 불순물을 도핑하기 위한 도핑가스 분위기에서 상기 실리콘 기판을 제2 열처리하여, 상기 도핑가스에 포함된 제2 도전형 불순물을 상기 실리콘 기판의 전면에 제2 확산시킴으로서 제2 에미터층을 형성하는 단계;를 포함하고,(f) 상기 (e)단계 후, 상기 에미터층이 n형인 경우 상기 실리콘 기판의 전면 상에 형성된 PSG(Phosphorus Silicate Glass) 및 상기 실리콘 기판의 전면 상에 형성된 상기 도핑 페이스트를 제거하는 단계; 및(g) 상기 (f)단계 후, 상기 실리콘 기판의 전면 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 반사방지막은 패시베이션층(passivation layer)을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 마스킹 페이스트의 패턴은 잉크젯, 스텐실 프린팅, 에어로젯 프린팅 및 스크린 프린팅 중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 열처리 온도는 상기 제2 열처리 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 열처리에 의한 상기 제1 확산 깊이는 상기 제2 열처리에 의한 제2 확산 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 열처리와 제2 열처리 단계 사이에는 상기 실리콘 기판의 온도를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,(f) 상기 (e)단계 후, 상기 에미터층이 p형인 경우 상기 실리콘 기판의 전면 상에 형성된 BSG(Boron Silicate Glass) 및 상기 실리콘 기판의 전면 상에 형성된 상기 도핑 페이스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,(h) 상기 (g)단계 후, 상기 실리콘 기판의 전면에 상기 전면전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 (h)단계는, 상기 전면전극의 형성과 동시에 상기 실리콘 기판의 후면에 후면전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,(i) 상기 (h)단계 후 상기 실리콘 기판을 제3 열처리하여, 상기 형성된 후면전극과 상기 실리콘 기판의 후면의 사이에 후면전계(Back Surface Field)층을 형성하면서 동시에 상기 전면전극을 상기 제2 에미터층에 접촉시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 전면전극은 은(Ag)으로 마련되고, 상기 후면전극은 알루미늄(Al)으로 마련되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 불순물이p형 불순물인 경우 상기 제2 도전형 불순물은 n형 불순물로 마련되고, 상기 제1 도전형 불순물이 n형 불순물인 경우 상기 제2 도전형 불순물은 p형 불순물로 마련되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 에미터층이 n형인 경우 상기 도핑가스는 POCl3를 포함하고, 상기 에미층이 p형인 경우 상기 도핑가스는 BBr3 혹은 B2H6를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
16 16
상기 청구항 제1항 내지 제5항, 제7항, 제10항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 따른 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.