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반도체층;상기 반도체층에 쇼트키 접합되며, 제1 투명전도성 산화물층 및 제2 투명전도성 산화물층을 포함하는 쇼트키 접합층;을 포함하고,상기 제2 투명전도성 산화물층은 상기 제1 투명전도성 산화물층보다 더 큰 밴드갭을 갖고,상기 제2 투명전도성 산화물층과 상기 반도체층 사이에 상기 제1 투명전도성 산화물층이 배치된 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층은 상기 제2 투명전도성 산화물층보다 더 큰 광투과성을 갖는 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층과 상기 반도체층 사이에 배치되며 절연성을 갖는 물질로 이루어진 재결합 방지층을 더 포함하는 태양 전지
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제3 항에 있어서,상기 반도체층은 P형 반도체층과 상기 P형 반도체층에 PN접합된 N형 반도체층을 갖는 태양 전지
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제4 항에 있어서,상기 N형 반도체층이 상기 쇼트키 접합층과 쇼트키 접합되며 상기 쇼트키 접합층은 상기 N형 반도체층 보다 더 큰 일함수를 갖는 태양 전지
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제4 항에 있어서,상기 P형 반도체층이 상기 쇼트키 접합층과 쇼트키 접합되며 상기 쇼트키 접합층은 상기 P형 반도체층 보다 더 작은 일함수를 갖는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층은 상기 제1 투명전도성 산화물층보다 더 큰 일함수를 갖는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층 또는 상기 제2 투명전도성 산화물층은 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), MgO, Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, (La0
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명전도성 산화물층은 AZO로 이루어진 태양 전지
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제11 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층은 ITO로 이루어진 태양 전지
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제12 항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘 웨이퍼로 이루어진 태양 전지
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제12 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층은 상기 제1 투명전도성 산화물층을 기반으로 하여 이종접합 성장(Hetero-epitaxy growth)으로 형성된 태양 전지
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제14 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층의 우선 성장 방향은 (111)면인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 투명전도성 산화물층과 접하도록 제3 투명전도성 산화물층이 배치되며, 상기 제3 투명전도성 산화물층의 전기 전도성은 상기 제2 투명전도성 산화물층의 전기 전도성보다 큰 태양 전지
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