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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 에미터층;상기 에미터층 상에 형성되며 투명 전도성 산화물로 이루어진 반사방지막;상기 반사방지막 상에 형성되며 금속으로 이루어진 전면 전극을 포함하고,상기 전면 전극은 상기 반사방지막을 파고들어 부분적으로 삽입되며,상기 전면 전극의 하단은 상기 반사방지막에 의하여 감싸져 상기 전면 전극은 상기 반사방지막을 통해서 상기 에미터층과 전기적으로 연결된 광전소자
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제1 항에 있어서,상기 에미터층의 두께는 438nm 내지 776nm로 이루어진 광전소자
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제1 항에 있어서,상기 반사방지막은 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), MgO, Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, (La0
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제1 항에 있어서,상기 전면 전극은 상기 반사 방지막을 매개로 상기 에미터층과 전기적으로 연결된 광전소자
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제5 항에 있어서,상기 반사 방지막과 상기 에미터층 사이에는 부도체로 이루어진 패시베이션층이 형성된 광전소자
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제6 항에 있어서,상기 패시베이션층은 1nm 내지 50nm의 두께를 갖는 광전소자
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제5 항에 있어서,상기 반사 방지막과 상기 에미터층 사이에는 투명전도성 산화물로 이루어진 패시베이션층이 형성된 광전소자
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제8 항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 반사방지막보다 더 큰 광투과성을 갖는 광전소자
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제9 항에 있어서,상기 반사방지막은 상기 패시베이션층보다 더 큰 전기 전도성을 갖는 광전소자
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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 에미터층;상기 에미터층 상에 형성되며 투명 전도성 산화물로 이루어진 반사방지막;상기 반사방지막 상에 형성되며 투명 전도성 산화물로 이루어진 제1 전면 전극; 및 상기 제1 전면 전극 상에 형성되며 상기 제1 전면 전극 보다 더 작은 폭을 갖고 금속으로 이루어진 제2 전면 전극;을 포함하며,상기 제2 전면 전극은 상기 제1 전면 전극을 파고들어 부분적으로 삽입되고, 상기 제2 전면 전극의 하단은 상기 제1 전면 전극에 의하여 감싸진 광전소자
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제11 항에 있어서,상기 에미터층의 두께는 438nm 내지 776nm로 이루어진 광전소자
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