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투습 방지막이 형성된 투명 전도성 유연기판 제조기술

  • 기술번호 : KST2014066494
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명전도성 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의하면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하고, 상기 베이스 기판의 제1면에 복수의 돌기형 구조체와 반사방지 투명전도층을 형성하여 전도성 반사방지층을 형성하며, 상기 베이스 기판의 제2면에 복수의 돌기형 구조체와 반사방지 구조체를 형성하여 반사방지층을 형성하는 투명전도성 기판 및 그 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020120047098 (2012.05.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1205006-0000 (2012.11.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.03)
심사청구항수 42

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤정흠 대한민국 경남 김해시 월산로 ***-**,
2 이건환 대한민국 경기도 평택시
3 박연현 대한민국 부산 사하구
4 이성훈 대한민국 경남 창원시 마산회원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0355388-21
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0359215-35
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037434-17
5 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0466940-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0443584-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0734021-26
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0734058-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0682960-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 베이스 기판의 제1면에 전도성 반사방지층을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기판의 제2면에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 전도성 반사방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은,상기 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층; 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 반사방지층은,상기 복수의 돌기형 구조체와 상기 반사방지 구조체 사이에 상기 무기물 입자의 증착에 의해 형성되는 연속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 강화 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
9 9
제3항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는,서로 인접하게 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
10 10
제3항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는, 구 형상인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 투명전도성 물질은, Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
14 14
제2항에 있어서,상기 무기물 입자는, 금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide), 상기 금속물질의 질화물(nitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
15 15
제2항에 있어서, 상기 반사방지 구조체는, 200nm 이하의 간격으로 배열되는 것,을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
16 16
제2항에 있어서, 상기 반사방지층에 연속박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 연속박막층을 형성하는 단계는, 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 상기 연속박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사방지막이 구비된 투명전도성 기판 제조 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 연속박막층에 지문방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
19 19
제2항에 있어서, 상기 반사방지층에 지문방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
20 20
제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 지문방지층은, 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
21 21
제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 지문방지층은, 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법
22 22
빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 제1면에 형성된 전도성 반사방지층; 및 상기 베이스 기판의 제2면에 형성된 반사방지층을 포함하되,상기 전도성 반사방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 제1면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체에 형성되는 반사방지 투명전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
23 23
제22항에 있어서,상기 반사방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 형성되는 반사방지 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
24 24
제22항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은,상기 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층; 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
25 25
제23항에 있어서,상기 반사방지층은,상기 복수의 돌기형 구조체와 상기 반사방지 구조체 사이에 상기 무기물 입자의 증착에 의해 형성되는 연속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
26 26
제22항에 있어서, 상기 베이스 기판은 강화 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
27 27
제22항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
28 28
제22항에 있어서,상기 복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
29 29
제22항에 있어서, 상기 건식 에칭 방법은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
30 30
제24항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는,서로 인접하게 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
31 31
제24항에 있어서, 상기 전도성 반사방지 구조체는, 구 형상인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
32 32
제22항에 있어서, 상기 투명전도성 물질은, Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
33 33
제22항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
34 34
제22항에 있어서, 상기 반사방지 투명전도층은, 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
35 35
제23항에 있어서,상기 무기물 입자는, 금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide), 상기 금속물질의 질화물(nitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
36 36
제23항에 있어서, 상기 반사방지 구조체는, 200nm 이하의 간격으로 배열는 것,을 특징으로 하는 투명전도성 기판
37 37
제23항에 있어서, 상기 반사방지층에 형성되는 연속박막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
38 38
제37항에 있어서, 상기 연속박막층은, 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
39 39
제37항에 있어서, 상기 연속박막층에 형성된 지문방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
40 40
제22항에 있어서, 상기 반사방지층에 형성된 지문방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
41 41
제39항 또는 제40항에 있어서, 상기 지문방지층은, 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
42 42
제39항 또는 제40항에 있어서, 상기 지문방지층은, 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어 느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.