맞춤기술찾기

이전대상기술

복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서 및 이를 제작하는 방법

  • 기술번호 : KST2014066568
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법 관한 것이며, 본 발명의 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법은 기판 상에 절연층을 적층하는 절연층 적층단계; 상기 절연층 상에 하부전극을 적층하는 하부전극 적층단계와 상기 하부전극 상에 박막압전층을 적층하는 박막압전층 적층단계와 상기 박막압전층 상에 제1상부전극을 적층하는 제1상부전극 적층단계를 포함하는 초음파 수신부 형성단계; 상기 초음파 수신부를 패터닝 하여 상기 하부전극을 상기 초음파 수신부가 적층되는 제1하부전극과 외부로 노출되며 상기 제1하부전극과 상호 전기적으로 분리되는 제2하부전극으로 분리하는 초음파 수신부 패터닝 단계와 상기 초음파 수신부 및 상기 제2하부전극의 외면에 상기 박막압전층의 두께보다 두꺼운 두께의 후막압전층을 적층하는 후막압전층 적층단계와 상기 제2하부전극의 영역과 대향되는 위치의 상기 후막압전층 상에 제2상부전극을 적층하는 제2상부전극 적층단계와 상기 초음파 송신부 상에 적층된 후막압전층을 제거하는 후막압전층 제거단계를 포함하는 초음파 송신부 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명에 의하면, 초음파 송수신 기능을 수행하는 구성을 동일 기판상에 형성하고, 각 압전층의 두께를 기능에 따라 달리 구성함으로써 컴팩트한 구성을 통하여 우수한 초음파 송수신 기능을 구현할 수 있는 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법이 제공된다.
Int. CL G01N 29/24 (2006.01) A61B 8/00 (2006.01) H04R 17/00 (2006.01)
CPC A61B 8/4494(2013.01) A61B 8/4494(2013.01) A61B 8/4494(2013.01) A61B 8/4494(2013.01) A61B 8/4494(2013.01) A61B 8/4494(2013.01)
출원번호/일자 1020120038166 (2012.04.12)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1326531-0000 (2013.11.01)
공개번호/일자 10-2013-0115656 (2013.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20131107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.12)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최홍수 대한민국 대구 달성군 현풍면
2 최지웅 대한민국 대구 수성구
3 장재은 대한민국 대구 달성군 화원읍 비슬로**

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0291850-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038175-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0391595-91
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0706666-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0811557-50
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0811547-04
10 등록결정서
Decision to grant
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0662814-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
기판 상에 절연층을 적층하는 절연층 적층단계;상기 절연층 상에 하부전극을 적층하는 하부전극 적층단계와 상기 하부전극 상에 박막압전층을 적층하는 박막압전층 적층단계와 상기 박막압전층 상에 제1상부전극을 적층하는 제1상부전극 적층단계를 포함하는 초음파 수신부 형성단계;상기 초음파 수신부를 패터닝 하여 상기 하부전극을 상기 초음파 수신부가 적층되는 제1하부전극과 외부로 노출되며 상기 제1하부전극과 상호 전기적으로 분리되는 제2하부전극으로 분리하는 초음파 수신부 패터닝 단계와 상기 초음파 수신부 및 상기 제2하부전극의 외면에 상기 박막압전층의 두께보다 두꺼운 두께의 후막압전층을 적층하는 후막압전층 적층단계와 상기 제2하부전극의 영역과 대향되는 위치의 상기 후막압전층 상에 제2상부전극을 적층하는 제2상부전극 적층단계와 상기 초음파 송신부 상에 적층된 후막압전층을 제거하는 후막압전층 제거단계를 포함하는 초음파 송신부 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서 제작방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제5항에 있어서,상기 기판은 실리콘 소재로 마련되며,상기 초음파 송신부 또는 초음파 수신부의 진동이 원활하도록 상기 초음파 송신부 또는 상기 초음파 수신부가 위치하는 상기 기판의 하면을 에칭하는 에칭단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 대구경북과학기술원 일반연구자지원사업(신진) 청각복원을 위한 압전 인공기저막 설계 및 제작 기술개발