| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 적층되는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 수평으로 평행하게 적층되고 코어부의 둘레에 쉘부가 둘러싸여지는 p-n 접합 반도체 구조체로 형성되는 코어-쉘 나노와이어; 및상기 코어-쉘 나노와이어의 양단부에서 코어-쉘 나노와이어의 코어부에 접속되는 제 2 전극을 포함하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어의 코어부는 n형 반도체로 형성되고 상기 코어-쉘 나노와이어의 쉘부는 p형 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어의 코어부는 p형 반도체로 형성되고 상기 코어-쉘 나노와이어의 쉘부는 n형 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어의 코어부와 쉘부 사이에는 절연층이 개재되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어를 형성하는 p-n 접합 반도체 구조체는, Si, Ge, GaAs, GaP, AlSb, InP, In2Se3, In2Te3, CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, ZnTe, Bi2S3, Cu2S, MoSe2, WSe2, SiOx, TiO2, Cu2O, CuO, GaN 및 ZnO 중에서 선택된 1종 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어를 형성하는 p-n 접합 반도체 구조체는, 폴리에틸렌옥사이드(poly(ethylene oxide)), 폴리포스파젠(polyphosphazene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리싸이오펜(polythiophene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리설퍼니트라이드(poly(sulfur nitride)), 폴리페닐렌비닐렌(poly(p-phenylenevinylene)) 및 폴리비닐카바졸(poly(N-vinylcarbazole)) 중에서 선택된 1종 이상의 전도성고분자로 형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어를 형성하는 p-n 접합 반도체 구조체는, 그래핀(graphene), 풀러렌(fullerene), 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브 묶음(bundle) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노와이어의 쉘부의 단부측은 제거되어 상기 제 2 전극이 상기 코어-쉘 나노와이어의 코어부에 접속되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 1층 또는 다층으로 적층형성되는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 코어-쉘 나노와이어 사이에 개재되고 상기 코어-쉘 나노와이어의 안착을 위해 상기 코어-쉘 나노와이어의 측면을 둘러싸는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 태양전지
|
