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방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 화학적 안정성이 향상된 불소고분자막

  • 기술번호 : KST2014066743
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 화학적 안정성이 향상된 불소고분자막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 술폰화 반응시켜 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막은 염화비닐벤질을 포함한 혼합용액과 불소계 고분자 막에 방사선을 동시에 조사하여 제조방법이 간단하고, 불소고분자막의 그라프트율을 조절할 수 있으며, 상기 제조방법으로 제조된 불소 고분자막은 라디칼에 의한 화학적 반응에서 우수한 안정성을 나타내므로, 이온 교환 막, 전지용 분리막, 수소 이온 연료전지막 등의 여러 기능성 막으로 유용하게 사용할 수 있다.
Int. CL C08F 259/04 (2006.01) C08J 3/28 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01) C08F 259/08 (2006.01)
CPC C08J 5/2237(2013.01) C08J 5/2237(2013.01) C08J 5/2237(2013.01) C08J 5/2237(2013.01) C08J 5/2237(2013.01) C08J 5/2237(2013.01)
출원번호/일자 1020090030240 (2009.04.08)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1088404-0000 (2011.11.24)
공개번호/일자 10-2010-0111837 (2010.10.18) 문서열기
공고번호/일자 (20111201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노영창 대한민국 대전시 유성구
2 신준화 대한민국 전북 정읍시
3 강필현 대한민국 전북 정읍시
4 경비 중국 전북 정읍시
5 강성아 대한민국 전북 정읍시
6 고범석 대한민국 전북 정읍시
7 손준용 대한민국 전북 정읍시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0210790-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0071343-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0137085-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0348501-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0348500-51
7 등록결정서
Decision to grant
2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0686039-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
염화비닐벤질 단량체를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 단량체 용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 1 - 4 kGy/h의 선량율로 조사하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 티오우레아 용액에 첨가하여 반응시켜 티오우로늄 염을 도입시키는 단계(단계 3(a)); 상기 단계 3(a)에서 제조된 티오우로늄 염이 도입된 불소고분자막을 염기성용액에 첨가하여 가수분해시키는 단계(단계 3(b)); 및 상기 단계 3(b)의 가수분해에 의해 티올기를 포함하는 불소고분자막을 산화시키는 단계(단계 3(c))를 포함하는 술폰화 반응을 통해 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매는 사염화탄소, 클로로포름, 디클로로메탄, 톨루엔, 1,4-다이옥신, 1,2-디클로로에탄 및 디메틸포름아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매에 대하여 염화비닐벤질 단량체의 함량은 30 - 70 부피%인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 불소계 고분자막은 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오르프로필렌(FEP), 페르플루오로알킬비닐에테르(PFA), 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 2에서 불소계 고분자막에 그라프트되는 염화비닐벤질의 그라프트율은 30 - 80%인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항 내지 제5항 및 제7항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 불소고분자막
10 10
제9항의 불소고분자막을 이용한 이온교환막
11 11
제9항의 불소고분자막을 이용한 연료전지막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 원자력 연구개발사업(원자력기술개발사업 고유강점기술육성 분야) 방사선 이용 기능성 고분자 개발