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기판을 안착시키기 위한 판상형 하부전극; 및상기 판상형 하부전극 상의 원통형 회전 전극을 포함하고,상기 원통형 회전 전극은, 전원부에 연결되고, 그 외주면 상에 복수의 캐필러리부들을 포함하는 도전성 몸체; 및 상기 복수의 캐필러리부의 저면부를 노출하도록 상기 몸체의 외주면 상에 배치된 절연성 차폐층을 포함하고,상기 복수의 캐필러리부들은 선형으로 배치되고, 상기 복수의 캐필러리부들은 상기 몸체의 회전축 방향으로 신장되고,상기 복수의 캐필러리부들은, 상기 원통형 회전 전극에 가해지는 전기장을 상기 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 복수의 캐필러리부들의 저면부를 노출하고, 그 외의 부분은 차폐시키는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 캐필러리부의 저면부 상에 도전층을 더 포함하는, 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서, 상기 도전층은 저면부보다 이차전자 방출계수가 높은 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마 발생장치
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 복수의 캐필러리부들은 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열된, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 판상형 하부전극 및 상기 원통형 회전 전극이 내부에 안치되는 챔버를 포함하고,상기 챔버는 반응기체의 공급구 및 반응기체의 배출구를 포함하는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 원통형 회전 전극 및 상기 판상형 하부전극 사이에 플라즈마가 발생되고, 플라즈마 방전의 온/오프 제어는 상기 원통형 회전 전극의 회전수 및 상기 복수의 캐필러리부들의 수를 변화시켜 조절하는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 몸체는 도전성 금속, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 차폐층은 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 복수의 캐필러리부들의 폭은 100㎛ 내지 10mm의 범위이고, 상기 복수의 캐필러리부들의 종횡비는 1 내지 200인, 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 차폐층의 두께는 10㎛ 내지 10mm 범위에 있는, 플라즈마 발생장치
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판상형 하부전극 상에 기판을 안착시키는 단계;상기 기판 상에 반응기체를 유입하는 단계; 및상기 판상형 하부전극과 상부의 원통형 회전 전극 사이에 플라즈마를 발생시켜 상기 반응기체의 화학적 반응을 유도하는 단계를 포함하고,상기 원통형 회전 전극은, 그 외주면 상에 복수의 캐필러리부들을 포함하는 도전성 몸체; 및 상기 복수의 캐필러리부들의 저면부를 노출하고 그 외의 부분은 절연체, 또는 유전체로 차폐층하는 것을 포함하고, 상기 복수의 캐필러리부들은 선형으로 배치되고, 상기 복수의 캐필러리부들은 상기 몸체의 회전축 방향으로 신장되고, 상기 복수의 캐필러리부들은, 상기 원통형 회전 전극에 가해지는 전기장을 상기 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키고, 상기 플라즈마는 상기 원통형 회전 전극의 상기 복수의 캐필러리부들의 저면부로로부터 상기 판상형 하부전극에 위치한 기판 사이에서 발생되는, 기판의 플라즈마 처리방법
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