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이산화탄소로부터 금속이 도핑된 탄소소재 합성방법

  • 기술번호 : KST2014066898
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이산화탄소를 이용하여 합성된 탄소소재는 기존의 이산화탄소를 원료로 하여 탄소소재를 생산하는 고온/고압의 초임계공정이 아닌, 상압의 온건한 조건에서 이산화탄소로부터 탄소소재를 합성함으로써 기존의 제조공정보다 에너지를 절감할 수 있는 경제적인 공정이다. 본 발명의 이산화탄소를 이용하여 합성된 탄소소재는 연료전지의 양극에서 일어나는 산소환원반응(ORR, Oxidation Reduction Reaction)의 촉매로 사용 될 수 있으며, 고가의 백금촉매를 대체할 수 있는 잠재력을 갖고 있다. 또한, 본 발명의 이산화탄소를 이용하여 합성된 탄소소재는 차세대 에너지 저장매체인 Supercapacitor에도 적용될 수 있으며, 촉매의 담체나 가스분리 매체로도 사용될 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020130023866 (2013.03.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1340009-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.06)
심사청구항수 40

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재우 미국 대전 유성구
2 준세장 중국 대전광역시 유성구
3 변아영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0196399-27
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0197604-72
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2013.03.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2013.03.20 수리 (Accepted) 9-1-2013-0020315-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0438196-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0603448-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0603449-59
8 등록결정서
Decision to grant
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0630190-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
붕소 하이드라이드 환원제를 이용하여 이산화탄소를 탄소소재로 전환시키는 단계를 포함하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 이산화탄소는 순수한 이산화탄소, 또는 공장, 발전소 및 자동차로 이루어진 군에서 선택되는 곳에서 배출되는 이산화탄소를 포함한 배기가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 수득된 붕소 도핑 탄소소재를 산성용액 또는 온수로 처리하는 단계를 추가로 포함하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 산성용액 또는 온수로 처리된 붕소 도핑 탄소소재를 건조하는 단계를 추가로 포함하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 붕소 하이드라이드는 리튬 붕소하이드라이드(LiBH4), 나트륨 붕소하이드라이드(NaBH4), 칼륨 붕소하이드라이드(KBH4), 마그네슘 붕소하이드라이드(Mg(BH4)2), 칼슘 붕소하이드라이드(Ca(BH4)2), 스트론튬 붕소하이드라이드(Sr(BH4)2) 및 암모니아보레인(NH3BH3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 이산화탄소를 붕소 도핑 탄소소재로 전환시키는 단계는 1 내지 100 기압에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 이산화탄소를 붕소 도핑 탄소소재로 전환시키는 단계는 100 ℃ 내지 1000 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
8 8
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 붕소 도핑 탄소소재를 붕소 함유 전구체 물질로 처리하는 단계; 및 열처리하는 단계를 포함하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 수득된 붕소 도핑 탄소소재를 산성용액 또는 온수로 처리하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 산성용액 또는 온수로 처리된 붕소 도핑 탄소소재를 건조하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 붕소 함유 전구체 물질은 보론옥사이드(B2O3), 보릭에시드(H2BO3), 리튬 붕소하이드라이드(LiBH4), 나트륨 붕소하이드라이드(NaBH4), 칼륨 붕소하이드라이드(KBH4), 마그네슘 붕소하이드라이드(Mg(BH4)2), 칼슘 붕소하이드라이드(Ca(BH4)2), 스트론튬 붕소하이드라이드(Sr(BH4)2) 및 암모니아보레인(NH3BH3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 열처리는 비활성가스 또는 혼합가스 분위기에서 700 ℃ 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 열처리는 850 ℃ 내지 1050 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 비활성가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
15 15
제 12항에 있어서, 상기 혼합가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 이산화탄소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
16 16
삭제
17 17
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 붕소 도핑 탄소소재를 질소 함유 전구체 물질로 처리하는 단계; 및 열처리하는 단계를 포함하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
18 18
제 17항에 있어서, 상기 수득된 붕소 및 질소 도핑 탄소소재를 산성용액 또는 온수로 처리하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
19 19
제 18항에 있어서, 상기 산성용액 또는 온수로 처리된 붕소 및 질소 도핑 탄소소재를 건조하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
20 20
제 17항에 있어서, 상기 질소 함유 전구체 물질은 폴리파이롤((C4H2NH)n), 폴리아닐린 (polyaniline), 멜라민(C3H6N6), PDI(N,N'-bis(2,6-diisopropyphenyl)-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide), Polyacrylonitrile (PAN), 요소(CO(NH2)2), 암모니아(NH3), 하이드라진(N2H4) 및 암모니아보레인(NH3BH3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
21 21
제 17항에 있어서, 상기 열처리는 비활성가스 또는 혼합가스 분위기에서 700 ℃ 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
22 22
제 21항에 있어서, 상기 열처리는 850 ℃ 내지 1050 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
23 23
제 21항에 있어서, 상기 비활성가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 붕소 및 질소 도핑 탄소소재의 제조방법
24 24
제 21항에 있어서, 상기 혼합가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 이산화탄소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 및 질소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
25 25
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 붕소 도핑 탄소소재를 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
26 26
제 25항에 있어서, 상기 열처리는 비활성가스 또는 혼합가스 분위기에서 700 ℃ 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
27 27
제 26항에 있어서, 상기 열처리는 850 ℃ 내지 1050 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
28 28
제 26항에 있어서, 상기 비활성가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
29 29
제 26항에 있어서, 상기 혼합가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 이산화탄소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
30 30
삭제
31 31
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 붕소 도핑 탄소소재를 염기성 물질 또는 이산화탄소로 처리하는 단계; 및 열처리하는 단계를 포함하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
32 32
제 31항에 있어서,상기 수득된 붕소 도핑 탄소소재를 산성용액 또는 온수로 처리하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
33 33
제 32항에 있어서, 상기 산성용액 또는 온수로 처리된 붕소 도핑 탄소소재를 건조하는 단계를 추가로 포함하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
34 34
제 31항에 있어서,염기성 물질로 처리하는 단계는 염기성 물질을 증류수 또는 에탄올에 녹여 탄소소재를 처리하는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
35 35
제 34항에 있어서,염기성 물질로 처리하는 단계는 염기성 물질과 탄소소재를 기계적으로 혼합하는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
36 36
제 35항에 있어서,염기성 물질은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH) 및 수산화리튬(LiOH)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 붕소 도핑 탄소소재의 제조방법
37 37
제 31항에 있어서, 상기 열처리는 비활성가스 또는 혼합가스 분위기에서 700 ℃ 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
38 38
제 37항에 있어서, 상기 열처리는 850 ℃ 내지 1050 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
39 39
제 37항에 있어서, 상기 비활성가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
40 40
제 37항에 있어서, 상기 혼합가스는 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나와 이산화탄소의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
41 41
삭제
42 42
제 31항에 있어서, 이산화탄소 처리는 CO2가스 또는 CO2혼합가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
43 43
제 42항에 있어서, CO2혼합가스는 5 vol% 내지 100 vol%의 이산화탄소와 질소가스, 아르곤가스 및 헬륨가스로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 이산화탄소로부터 붕소 도핑 탄소소재를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.