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스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발
- 기술번호 : KST2014067069
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/22 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110126844 (2011.11.30) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1325641-0000 (2013.10.30) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0060662 (2013.06.10) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20131107) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.11.30) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 유철종 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 3 | 송양희 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0952133-54 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.11.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0087344-12 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.05.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0326029-68 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0628116-91 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.07.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0628118-82 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.10.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0729078-81 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 나노 임프린트 몰드 제조방법에 있어서,기판 상에 양극 산화법을 통해 딤플 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 기판에 형성되어 있는 딤플 형태의 나노 패턴을 나노 임프린팅 방식으로 제1 나노 임프린트 몰드에 전사하여 상기 제1 나노 임프린트 몰드에 상기 딤플 형태의 나노 패턴에 대응하는 반구 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계; 상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 제1 나노 임프린트 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계;상기 제1 나노 임프린트 몰드에 형성되어 있는 반구 형태의 나노 패턴을 나노 임프린팅 방식으로 제2 나노 임프린트 몰드에 전사하여 상기 제2 나노 임프린트 몰드에 상기 반구 형태의 나노 패턴에 대응하는 딤플 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 딤플 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 제2 나노 임프린트 몰드를 상기 제1 나노 임프린트 몰드로부터 분리하는 단계를 포함하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 2 |
2 제1 항에 있어서,상기 기판은 Al, Ti, Ta, Mg, nb, Hf 및 Zn로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 3 |
3 제1 항에 있어서,상기 양극 산화법은 상기 기판을 산 용액에 침지하고 반응전압을 인가하여, 상기 기판의 표면에 홀 형태의 금속 산화물 나노패턴을 형성하는 방식인 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 4 |
4 제3 항에 있어서,상기 기판에 형성된 홀 형태의 금속 산화물 나노패턴을 식각하여 제거함으로써, 상기 기판의 표면에 상기 딤플 형태의 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 5 |
5 제3 항에 있어서,상기 산 용액은 황산, 옥살산 및 인산 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 산 용액을 구성하는 성분의 농도 조절을 통해 상기 기판의 표면에 형성되는 홀 형태의 금속 산화물 나노패턴의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 6 |
6 제3 항에 있어서, 상기 반응전압은 20V 이상 200V 이하이고, 상기 반응전압을 조절하여 상기 기판의 표면에 형성되는 홀 형태의 금속 산화물 나노패턴의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 나노 임프린트 몰드 제조방법 |
| 7 |
7 발광다이오드 제조방법에 있어서,임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;상기 임시기판을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;딤플 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 딤플 형태의 나노 패턴에 대응하는 반구 형태의 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계;상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 8 |
8 제7 항에 있어서,상기 나노 임프린트 몰드는 제1 항의 나노 임프린트 몰드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 9 |
9 제7 항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층과 상기 나노 임프린트 레지스트층 사이에 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 10 |
10 제9 항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 발광층으로부터의 광을 서로 다른 굴절률로 굴절시키는 제1 굴절률 조절층과 제2 굴절률 조절층을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 11 |
11 제10 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고,상기 제2 굴절률 조절층은 상기 제1 굴절률 조절층 상에 형성되고 상기 제2 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 제1 굴절률 조절층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 12 |
12 제10 항에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층은 ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOX 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 13 |
13 제10 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층은 MgO계 산화물인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 14 |
14 제13 항에 있어서,상기 제2 굴절률 조절층을 구성하는 MgO계 산화물은 MgO에 다른 원소를 첨가하여 형성된 다원화합물인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 15 |
15 제7 항에 있어서,상기 n형 전극은 상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 발광다이오드 제조방법에 있어서,입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층, 상기 발광층 및 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;딤플 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 딤플 형태의 나노 패턴에 대응하는 반구 형태의 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계;상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 p형 전극을 형성하고 상기 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 18 |
18 제17 항에 있어서,상기 나노 임프린트 몰드는 제1 항의 나노 임프린트 몰드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 19 |
19 제17 항에 있어서,상기 투명전극은 ITO인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 20 |
20 제17 항에 있어서,상기 p형 전극은 상기 반구 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 투명전극이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법 |
| 21 |
21 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 포항공과대학교 산합협력단 | 산업원천기술개발사업 | 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 2 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 일반연구자지원사업 | 스마트 표면을 이용한 나노임플란트 기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1325641-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20111130 출원 번호 : 1020110126844 공고 연월일 : 20131107 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131024 청구범위의 항수 : 19 유별 : B29C 59/02 발명의 명칭 : 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 존속기간(예정)만료일 : 20171031 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2013년 10월 31일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0952133-54 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.11.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0087344-12 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2013.05.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0326029-68 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0628116-91 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.07.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0628118-82 |
| 8 | 등록결정서 | 2013.10.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0729078-81 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술번호 | KST2014067069 |
|---|---|
| 자료제공기관 | 미래기술마당 |
| 기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술명 | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 |
| 기술개요 |
본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다. |
| 개발상태 | 기능 및 개념 검증 |
| 기술의 우수성 |
1) 현재의 공정 기술로는 2012년 이후 더 이상 반도체 패턴 미세화를 진행할 수 없으며, 유기 전자 소자 또한 기존 공정에서 증착 및 패터닝의 한계를 갖고 있음
2) 이러한 문제는 나노임프린트 기술을 통해 해결할 수 있는 것으로 알려져 있으며 나노임프린트 방법에 있어서 ‘스탬프/잉크’의 접착력과 ‘기판/잉크’의 접착력 조절이 가장 중요하지만 지금까지 표면의 접착력을 조절할 수 있는 방법에 대한 연구가 부족한 실정임 3) 본 연구를 통해 접착력이 조절된 스마트 물질을 나노임프린트 기술에 적용하는 것으로 기존 결과와 차별성을 두고자 함 |
| 응용분야 |
1) 전기/전자 : 반도체
2) 디스플레이 |
| 시장규모 및 동향 |
1) 본 기술은 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술에 관한 것으로서 나노 임프린트로서 적용 가능하여 반도체 산업 분야에 활용 가능함 2) 반도체의 전세계 시장 규모는 2010년에 263억 달러에서 지속적으로 성장하여, 현 시장규모는 약 314억 달러 규모의 시장을 형성할 것으로 예상됨 |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415131567 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345150884 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0012919 |
| 연구과제명 | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415115431 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020130153836] | 광터널링에 의한 광추출효율이 향상된 발광다이오드 | 새창보기 |
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