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3D 적층된 정보저장층을 가지는 1T구조의 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014067082
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판, 기판 상에 있으며 기공을 갖는 패턴층 및 기공이 좁혀지도록 기공의 표면에 증착된 증착층을 포함하며, 기공은 기판 반대쪽의 패턴층의 표면 상으로 노출된 개구부를 갖는 나노 템플릿 및 그 제조 방법이 공개된다.
Int. CL C25D 11/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C25D 11/045(2013.01) C25D 11/045(2013.01)
출원번호/일자 1020100059922 (2010.06.24)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1234222-0000 (2013.02.12)
공개번호/일자 10-2011-0139851 (2011.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.24)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이장식 대한민국 서울특별시 성북구
2 유시훈 대한민국 서울특별시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 박기원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
5 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0406222-78
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0505715-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0038923-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0174328-04
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0426410-93
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0509809-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0599148-36
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0599149-82
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0786453-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 있으며 기공을 갖는 패턴층; 및상기 기공이 좁혀지도록 상기 기공의 표면에 증착된 증착층을 포함하며,상기 기공은 상기 기판 반대쪽의 상기 패턴층의 표면 상으로 노출된 개구부를 갖는,나노 템플릿
2 2
제1항에 있어서, 상기 기공에 의해 상기 기판의 표면이 노출되어 있는, 나노 템플릿
3 3
제1항에 있어서, 상기 기공을 채우며 상기 기판 반대쪽의 상기 패턴층의 표면을 덮는 보호층을 더 포함하는, 나노 템플릿
4 4
제3항에 있어서, 상기 보호층은 폴리스티렌, 파라핀 왁스 또는 네일 팔리쉬(nail polish)를 포함하는, 나노 템플릿
5 5
제1항에 있어서, 상기 패턴층은 Al, Ti, Ta, Zr, Nb, 및 W로 되는 군에서 선택된 금속의 산화물로 이루어지는, 나노 템플릿
6 6
제1항에 있어서, 상기 증착층의 재료는 상기 패턴층의 재료와 동일한, 나노 템플릿
7 7
기공을 갖는 패턴층; 및상기 기공이 좁혀지도록 상기 기공의 표면에 증착된 증착층을 포함하며,상기 기공은 상기 패턴층의 제 1 면 상으로 노출된 개구부를 갖는,나노 템플릿
8 8
금속 모재 상에 개구부 및 바닥부를 갖는 기공(pore)을 포함하는 패턴층을 형성하는 단계;상기 기공의 내부를 채우는 보호층을 형성하는 단계;상기 금속 모재로부터 상기 패턴층을 분리하는 단계;상기 기공이 상기 패턴층을 관통하도록 상기 기공의 바닥부를 제거하는 단계; 및상기 패턴층을 기판 상에 부착시키는 단계를 포함하는, 나노 템플릿 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 부착시키는 단계 이후에, 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는,나노 템플릿 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 패턴층을 형성하는 단계 이후에, 상기 기공의 표면에 상기 기공을 좁히도록 증착층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 나노 템플릿 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 증착층은 원자층 증착법에 의해 형성된 것인, 나노 템플릿 제조 방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 금속 모재의 표면을 양극산화하는 제1 양극산화단계, 상기 제1 양극산화단계에 의해 형성된 양극산화막을 제거하는 단계, 및 상기 양극산화막이 제거된 표면을 양극산화하는 제2 양극산화단계를 포함하는, 나노 템플릿 제조 방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 보호층은 폴리스티렌, 파라핀 왁스 또는 네일 팔리쉬(nail polish)인, 나노 템플릿 제조 방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 금속 모재는 Al, Ti, Ta, Zr, Nb, 및 W로 되는 군에서 선택된 금속으로 이루어지고, 상기 패턴층 및 상기 증착층은 상기 선택된 금속의 산화물로 이루어지는, 나노 템플릿 제조 방법
15 15
제8항에 있어서, 상기 패턴층을 분리하는 단계 이전에, 산성 용액을 이용하여 상기 기공을 넓히는 단계를 더 포함하는, 나노 템플릿 제조 방법
16 16
제8항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 나노 템플릿
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.