맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비자성 원소인 Bi를 도핑한 ZnBixO1-x 반도체 박막의 다강성 연구

  • 기술번호 : KST2014067131
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드는 기판; 상기 기판 위에 형성된 전극층; n형으로 도핑되어 상기 전극층 위에 성장된 복수의 산화아연 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및 p형으로 도핑되고, 상기 산화아연 나노로드들의 말단에 물리적으로 접촉하는 형태의 단결정 반도체층을 포함한다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020127019245 (2012.07.20)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1416663-0000 (2014.07.02)
공개번호/일자 10-2012-0105037 (2012.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140721) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2010/006172 (2010.09.10)
국제공개번호/일자 WO2011078467 (2011.06.30)
우선권정보 대한민국  |   1020090130085   |   2009.12.23
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.20)
심사청구항수 23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울 은평구
2 강태원 대한민국 서울 성동구
3 파닌겐나디 러시아 서울특별시 중구
4 조학동 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0581361-90
2 수리안내서
Notice of Acceptance		 2012.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0098393-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592005-90
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0977465-06
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0978032-18
6 보정요구서
Request for Amendment		 2013.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0137059-96
7 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1013715-06
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1080812-86
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1187078-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0080132-58
12 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0015378-52
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0194083-04
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0194122-97
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0440536-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성된 전극층;n형으로 도핑되어 상기 전극층 위에 성장된 복수의 산화아연 나노로드들을 포함하는 나노로드층;p형으로 도핑되고, 상기 산화아연 나노로드들의 말단에 물리적으로 접촉하는 형태의 단결정 반도체층; 및상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정한 후에, 상기 기판의 하면과 상기 단결정 반도체층의 상면에 형성되는 금속층을 포함하고,상기 금속층에 열처리하여 오믹접합을 형성하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들은 상기 기판에 대해 수직 배향되는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들은 상기 기판에 대해 수직이 아닌 각도로 성장된 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들은 육각기둥 형태로 서로 이격되어 있으며, 상기 육각기둥 형태의 나노로드 내에서 장축 방향으로 간격이 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들 사이의 공간에 채워지고 공기보다 굴절률이 높으면서 산화아연 보다 굴절률이 낮은 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들은 도핑된 불순물 농도가 1×1016 내지 9×1020 /cm3 이고,상기 단결정 반도체층은 불순물 농도가 1×1017 내지 9×1020 /cm3 인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판은금속 기판, 실리콘 기판, 유리 기판, 또는 그래파이트(Graphite) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서,상기 전극층은금속층 또는 그래핀(Graphene)층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드들은 높이가 0
10 10
제 1 항에 있어서,상기 단결정 반도체층은p형으로 도핑된 단결정 실리콘(Si), 비소갈륨(GaAs), 또는 질화갈륨 (GaN) 기판 중 하나인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
11 11
제 1 항에 있어서,상기 단결정 반도체층은이종 기판 위에 p형으로 도핑된 단결정 반도체 박막이 성장된 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드
12 12
그래파이트 기판;n형으로 도핑되어 상기 그래파이트 기판 위에 성장된 복수의 산화아연 나노로드들을 포함하는 나노로드층;p형으로 도핑되고, 상기 산화아연 나노로드들의 말단에 물리적으로 접촉하는 형태의 단결정 반도체층; 및상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정한 후에, 상기 기판의 하면과 상기 단결정 반도체층의 상면에 형성되는 금속층을 포함하고,상기 금속층에 열처리하여 오믹접합을 형성하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이져 다이오드
13 13
기판 위에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 위에 n형으로 도핑된 복수의 산화아연 나노로드들을 성장하여 나노로드층을 형성하는 단계;상기 나노로드층 위에 p형으로 도핑된 단결정 반도체층을 접촉하는 단계;상기 단결정 반도체층의 상면에 소정의 압력을 가하여 상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계;상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정한 후에, 상기 기판의 하면과 상기 단결정 반도체층의 상면에 각각 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층에 열처리하여 오믹접합을 형성하는 단계를 포함하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제 13 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는상기 전극층 위에 상기 산화아연 나노로드들을 직접 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
16 16
제 13 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는버퍼층을 형성한 후 상기 산화아연 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
17 17
제 13 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는기상 수송 증착법(Vapor Phase Transport process), 유기금속 화학 기상 증착법(Metal-Organic source Chemical Vapor Deposition), 스퍼터법(Sputter), 화학 전기분해 증착법 (Chemical Electrolysis Deposition), 또는 스크린 프린팅법 중 어느 하나의 방법으로 상기 산화아연 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
18 18
제 13 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는상기 산화아연 나노로드들 사이의 빈 공간에 공기 보다 굴절률이 높으면서 산화아연 보다 굴절률이 낮은 물질을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
19 19
제 13 항에 있어서,상기 단결정 반도체층은단결정 실리콘 기판, 단결정 비소갈륨(GaAs) 기판, 또는 단결정 질화갈륨(GaN)기판 중 하나인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
20 20
제 13 항에 있어서,상기 단결정 반도체층은p형으로 도핑되며 이종기판 상에 단결정 실리콘, 비소갈륨, 질화갈륨, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 폴리머층 중 어느 하나가 성장된 형태인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
21 21
제 13 항에 있어서,상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계는상기 단결정 반도체층의 상면에 0
22 22
제 13 항에 있어서,상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계는상기 단결정 반도체층의 상면에 압력을 가한 상태에서 상기 단결정 반도체층의 측면, 상기 전극층 및 상기 기판의 측면을 이어주는 에폭시를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
23 23
제 13 항에 있어서,상기 단결정 반도체층의 상면 또는 상기 기판의 하면 중 적어도 하나에 방열층을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
24 24
그래파이트 기판 위에 n형으로 도핑된 복수의 산화아연 나노로드들을 성장하여 나노로드층을 형성하는 단계;상기 나노로드층 위에 p형으로 도핑된 단결정 반도체층을 접촉하는 단계;상기 단결정 반도체층의 상면에 소정의 압력을 가하여 상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계;상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정한 후에, 상기 기판의 하면과 상기 단결정 반도체층의 상면에 각각 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층에 열처리하여 오믹접합을 형성하는 단계를 포함하는, 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08787416 US 미국 FAMILY
2 US20120314726 US 미국 FAMILY
3 WO2011078467 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2011078467 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012314726 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8787416 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011078467 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2011078467 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.