맞춤기술찾기

이전대상기술

연료감응 태양전지, 이의 제조방법 및 이의 전기광학 특성 측정 시스템 및 측정방법

  • 기술번호 : KST2014067139
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응 태양전지 및 이의 제조 방법 및 이의 전기 광학 특성 측정 시스템 및 측정 방법에 관한 것으로, 반도체 전극과, 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 상기 대향전극 사이에 형성된 전해질/액정 혼합물층 및 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극을 봉지하는 몰딩부를 포함하는 염료감응 태양 전지 태양전지를 제공하고, 상기 태양전지에 제 1 광을 인가하는 제 1 광원부 및 상기 태양전지를 통해 전송된 빛을 검출하는 검출수단을 포함하되, 상기 제 1 광원부가 레이저인 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템을 제공한다. 이로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자인 태양 전지를 응용하여 새로운 액정 광학 소자를 제조할 수 있다. 또한, 염료감응 태양 전지에 액정을 포함시켜 셀을 제조한 뒤 셀에 광선을 통과시키면 태양 전지의 광기전력효과에 의해 액정을 구동시킬 수 있으며, 새로운 전기 광학 소자로 앞으로 광학, 전자 재료로서의 응용 범위를 넓힐 수 있고, 제 1 및 제 2 광원을 이용한 측정 시스템을 사용하여 태양전지의 광기전력과 전기 광학 특성을 측정할 수 있다. 염료감응, 태양전지, 액정, 전기광학, 측정 방법, 시스템
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) H02S 50/15 (2014.01.01)
CPC H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01)
출원번호/일자 1020040095632 (2004.11.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1054892-0000 (2011.08.01)
공개번호/일자 10-2006-0056518 (2006.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.14)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김낙중 대한민국 서울 강남구
2 윤수정 대한민국 경기 김포시
3 김도영 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0542610-39
2 보정요구서
Request for Amendment
2004.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0081661-15
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0565699-64
4 수수료등의 반환안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.
2004.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0083786-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0223658-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0223898-05
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0223910-66
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0057940-08
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509605-35
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0015294-18
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0015282-71
14 등록결정서
Decision to grant
2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0418917-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명전극; 상기 투명전극 하부에 형성된 반도체 산화물층; 상기 반도체 산화물층 하부에 형성된 염료층; 상기 염료층 하부에 형성된 액정을 포함하는 이방성 물질층; 상기 이방성 물질층 하부에 형성된 대향전극; 및 상기 투명전극과 상기 대향 전극 사이를 봉지하는 몰딩부를 포함하는 염료감응 태양 전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 이방성 물질층에 전해질이 더 포함된 염료감응 태양 전지
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 전해질로 레독스 커플 아이오다이드-트리아이오다이드(I-/I3-)를 포함하는 물질을 사용하는 염료감응 태양 전지
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 산화물층으로 SiO2 및 TiO2를 사용하는 염료감응 태양 전지
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 투명전극 및 상기 대향전극으로 각각 ITO 박막 또는 FTO 박막을 사용하는 염료감응 태양전지
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 이방성 물질층의 두께가 2 내지 5㎛인 염료감응 태양 전지
7 7
반도체 산화물층과 염료층이 형성된 투명전극과 대향전극을 마련하는 단계; 상기 대향 전극 상부에 액정을 포함하는 이방성 물질 용액을 떨어뜨리는 단계; 상기 대향 전극에 상기 반도체 산화물층과 상기 염료층이 형성된 상기 투명전극을 밀착하는 단계; 및 밀착된 상기 대향 전극과 상기 투명 전극 사이를 밀봉하는 단계를 포함하는 제1항에 따른 염료감응 태양 전지의 제조 방법
8 8
태양전지에 제 1 광을 인가하는 제 1 광원부; 상기 태양전지에 제 2 광을 인가하는 제 2 광원부; 및 상기 태양전지를 통해 전송된 빛을 검출하는 검출수단을 포함하는 제1항에 따른 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 광원부로 레이저를 사용하고, 상기 제 2 광원부로 제논램프를 사용하는 염료감응 태양 전지의 전기 광학 측정 시스템
10 10
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 광원부과 상기 태양전지 사이에 위치한 편광기; 상기 태양전지와 상기 검출수단 사이에 위치한 검광자를 더 포함하는 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템
11 11
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 태양전지에서 생성된 전압을 측정하는 전압계를 더 포함하는 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 광원부, 상기 편광기, 상기 검광자 및 상기 검출수단은 소정의 수평선상에 순차적으로 배치된 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템
13 13
제 8 항 또는 제 9 항의 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 시스템을 이용한 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 방법에 있어서, 태양전지에 제 1 광을 조사하는 단계; 상기 태양전지에 투과된 상기 제 1 광을 검출하는 단계; 상기 태양전지에 제 2 광을 조사하는 단계; 및 상기 태양전지의 광기전력 및 전기 광학 특성을 측정하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 전기 광학 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.