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[염료감응형 태양전지]광전극에 전도성 고분자 단량체 침투 후 고체상 열중합하는 기술

  • 기술번호 : KST2014067172
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전극의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 광전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 다공성 금속산화물 박막층에 염료를 흡착시키는 염료흡착단계, 용매에 용해된 전도성 고분자 단량체를 상기 염료가 흡착된 다공성 금속산화물 박막층에 침투시키는 단량체침투단계, 그리고 고체상 열중합으로 상기 전도성 고분자를 합성하는 고분자합성단계를 포함하는 광전극의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 간편하고 다양한 전도성 고분자나 염료에 적용이 가능하면서도 효율이 우수한 광전극 및 이를 포함하는 태양전지를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100104224 (2010.10.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1073118-0000 (2011.10.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은경 대한민국 서울특별시 용산구
2 김종학 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 금천구
4 고종관 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0690156-91
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0100358-73
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0739028-37
4 등록결정서
Decision to grant
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0548393-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
다공성 금속산화물 박막층에 염료를 흡착시키는 염료흡착단계,용매에 용해된 전도성 고분자 단량체를 상기 염료가 흡착된 다공성 금속산화물 박막층에 침투시키는 단량체침투단계, 그리고고체상 열중합으로 상기 전도성 고분자 단량체를 고분자로 합성하는 고분자합성단계를 포함하는 광전극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단량체침투단계와 상기 고분자합성단계의 사이에 상기 전도성 고분자 단량체를 용해한 용매를 증발시키는 용매증발단계를 더 포함하는 전극의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 고분자합성단계는 20℃ 내지 200℃에서 이루어지는 것인 광전극의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 단량체는 하기 화학식1, 화학식2, 화학식3, 화학식4 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 광전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 단량체침투단계에서 상기 전도성 고분자 단량체의 용매는 디클로로메탄(MC), 클로로포름, 아세토니트릴, 에틸렌 카보네이트(EC), 프로필렌 카보네이트(PC), 부틸렌 카보네이트, 디메틸비닐렌 카보네이트, 비닐에틸렌 카보네이트, 메틸에틸 카보네이트(MEC), 메틸프로필 카보네이트, 메틸부틸 카보네이트, 에틸프로필 카보네이트, 디메틸 카보네이트(DMC), 디에틸 카보네이트(DEC), 디프로필 카보네이트, 디부틸 카보네이트, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 프로판올, 아이소프로필알콜, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 헵타올, 데카올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 피나콜, 프로피온산메틸, 피발린산메틸, 피발린산부틸, 피발린산헥실, 피발린산옥틸, 옥살산디메틸, 옥살산에틸메틸, 옥살산디에틸, 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 1,2-디부톡시에탄, 디메틸포름아마이드, 인산트리메틸, 인산트리부틸, 인산트리옥틸, 디비닐 술폰, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤, α-안겔리카락톤, 아디포니트릴, 1,4-프로판 술톤, 1,4-부탄디올 디메탄 술포네이트, 프로필렌 술파이트, 글리콜 술페이트, 프로필렌 술페이트, 디프로파길 술파이트, 메틸 프로파길 술파이트, 에틸 프로파길 술파이트, 프로필렌 술파이트, 글리콜 술페이트, 프로필렌 술페이트, 톨루엔, 헥산, 자일렌, 아세톤 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 광전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 단량체는 상기 단량체침투단계에서 상기 전도성 고분자 단량체의 용매 100 중량부에 대하여 0
7 7
제1항에 있어서,상기 고분자합성단계 이후에 비휘발성 이온성 액체 및 이온염 전해질을 포함하는 첨가제를 주입하는 첨가제주입단계를 더 포함하는 광전극의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 비휘발성 이온성 액체는 1-메틸-3-프로필이미다졸리움 요오드, 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 디시아나미드, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 크로라이드, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 테트라플로오로보레이트, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 비스(트리플루오로메테인술포닐)이미드, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 트리플루오로메테인술포네이트, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 트리플루오로아세테이트, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 디시아나미드, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 티오시아네이트, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 염, 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 테트라클로로페레이트, 4-터트-부틸피리딘, 사카린 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 광전극의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,암모늄염, 나트륨염, 리튬염 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 광전극의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 첨가제는 4-터트-부틸피리딘을 더 포함한 것인 광전극의 제조방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 광전극을 포함하는 태양전지
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1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 선도연구센터 이공학분야 패턴 집적형 능동 폴리머 소재센터