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[차세대 디스플레이]산화아연 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014067249
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 P형 산화아연 박막의 제조방법을 제공한다. 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 P형 산화아연 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 챔버내에 기판과 Ⅲ족 원소가 도핑되어 있는 산화아연(ZnO) 타겟을 제공하는 단계, 상기 챔버내에 스퍼터 가스로서 아산화질소(N2O) 가스를 제공하는 단계 및 상기 아산화질소(N2O) 가스를 상기 타겟과 충돌시켜 상기 기판상에 상기 Ⅲ족 원소와 질소(N)가 함께 도핑된 P형의 산화아연 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 갈륨(Ga)과 질소(N)의 코도핑을 이용함으로써 결정성 및 전기적 특성이 우수한 P형 산화아연 박막을 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 시간에 따른 전기적 특성이 저하되지 않는 안정적인 P형 특성을 보여주는 산화아연 박막을 제조할 수 있는 효과를 제공한다. P형 산화아연(ZnO), 스퍼터링(Sputtering), 갈륨(Ga)
Int. CL C23C 14/34 (2006.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01)
출원번호/일자 1020060061844 (2006.07.03)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0794755-0000 (2008.01.08)
공개번호/일자 10-2008-0003509 (2008.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20080115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병택 대한민국 광주 북구
2 김태환 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0475632-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0023529-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0319258-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0581494-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0581499-18
7 등록결정서
Decision to grant
2007.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0539122-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 P형 산화아연 박막을 제조하는 방법에 있어서,마그네트론(magnetron) 스퍼터링장치의 챔버 내에 기판과 Ga2O3가 혼합되어 있는 산화아연(ZnO) 타겟을 제공하는 단계;상기 챔버 내에 스퍼터 가스로서 아산화질소(N2O) 가스를 제공하는 단계; 및상기 마그네트론 스퍼터링장치에 전원을 가하여 아산화질소(N2O) 플라즈마를 발생시킨 후 상기 타겟과 충돌시켜 상기 기판상에 갈륨(Ga)과 질소(N)가 함께 도핑된 P형의 산화아연 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 산화알루미늄(Al2O3) 또는 실리콘(Si)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 400 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제공되는 아산화질소(N2O) 가스의 유량은 35 내지 45sccm인 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 챔버에 인가되는 전원의 파워(RF)는 70 내지 80W인 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 아산화질소(N2O) 가스의 압력은 5 내지 15 mTorr인 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 P형의 산화아연계 박막의 증착시간은 50 내지 70분인 것을 특징으로 하는 P형 산화아연 박막의 제조방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.