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일정한 직경을 가지는 제1 전극과,상기 제1 전극과 소정거리 이격되어 상호 대향하게 위치하는 제2 전극과, 상기 제1 전극의 일측에 위치하여 저저항 상태에서 전하의 양을 인식하고 상기 인식된 전하량에 따라 저항이 가변되는 제1 저항성 메모리와,상기 제1 저항성 메모리와 연결되어 고저항 상태에서 전하의 양을 인식하고 상기 인식된 전하량에 따라 저항이 가변되는 제2 저항성 메모리와,상기 제2 저항성 메모리 위에 형성되고, 상기 제2 전극과 연결되어 광을 증폭 혹은 흡수하는 액티브영역의 양단에 배치된 제1 및 제2 반도체층으로 형성된 레이저다이오드(Laser Diode, LD)를 포함하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체층은,기판상에 형성된 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 박막 상에 형성되고, 산화 아연(ZnO) 혹은 지르코늄 산화물(ZrO2) 혹은 이산화 아연(SnO2) 나노구조체를 포함하여 형성된 반도체 전극임을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제2항에 있어서,상기 기판을 산소 함유 가스의 플라즈마 분위기에 소정 시간 동안 노출시켜 상기 기판 상에 Zn 혹은 Zr 혹은 Sn 산화막을 형성함을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극은,후면 및 전면 전극 재료를 각각 Ag와 Cu로 패터닝함을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체층은,홀(hole)이 많은 P타입 반도체임을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은,전자가 많은 N타입 반도체임을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저항성 메모리는,전원의 공급이 차단된 경우 직전의 전류의 방향과 양을 기억하고, 상기 전원이 재공급된 경우 상기 기억의 상태를 복원함을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 저항성 메모리는,상기 제1 전극에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 온(ON)상태가 되어 상기 LD로부터 광이 방출되도록 제어함을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 저항성 메모리는,상기 제1 전극에 음(-)의 전압이 인가되는 경우 오프(OFF)상태가 되어 상기 LD로부터 광 방출이 차단되도록 제어함을 특징으로 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 제2 전극은 개방되고, 상기 제1 전극은 접지 상태임을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 액티브 영역은,산화 아연(ZnO) 혹은 지르코늄 산화물(ZrO2) 혹은 이산화 아연(SnO2)을 이용하여 증착됨을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 하이브리드 광 저장 장치
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