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전압보상형 화소회로 및 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2015000090
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구동 TFT에 지속적인 게이트 바이어스(gate bias)로 인한 임계전압의 변화를 보상할 수 있는 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법을 개시한다.전압보상형 화소회로는 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로에 있어서, 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 위치하며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT와, 제1게이트 신호에 따라 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가되는 전압을 제 1 노드에 형성하도록 스위칭하는 제 1 TFT 및 제1게이트 신호에 따라 스위칭되며, 데이터 신호가 입력되는 데이터 라인에 연결되어 구동 TFT의 소스 전극에 상기 데이터 신호가 직접 인가될 수 있도록 스위칭하는 제 2 TFT를 포함하므로, 구동 TFT의 지속적인 게이트 바이어스로 인한 임계전압의 변화를 보상해줄 수 있다.
Int. CL G09G 3/32 (2006.01)
CPC G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01)
출원번호/일자 1020130151222 (2013.12.06)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1478096-0000 (2014.12.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호진 대한민국 서울 강남구
2 김연경 대한민국 서울 양천구
3 권영인 대한민국 경기 광명시 서원로 **, ***동
4 김대중 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤귀상 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로*길 ** ***호 (가산동, 한신IT타워*차)(디앤특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1118296-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0059938-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0748634-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1218677-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1218676-44
7 등록결정서
Decision to grant
2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0878966-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1노드를 포함하며, 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로에 있어서,고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 마련되는 발광 소자에 접속되며, 상기 제1노드에 게이트 전극이 연결되며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT;상기 제1노드에 제1전극이 연결되며, 제1게이트 라인을 통해 게이트 전극이 접속되어 스위칭을 수행하되, 상기 제1게이트 라인을 통해 공급되는 제1게이트 신호에 따라 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가되는 전압을 상기 제1노드에 형성하도록 스위칭하는 제 1 TFT;상기 제1게이트 신호에 따라 스위칭되며, 데이터 신호가 입력되는 데이터 라인에 연결되어 상기 구동 TFT의 소스 전극에 상기 데이터 신호가 직접 인가될 수 있도록 스위칭하는 제 2 TFT; 및상기 고전위 전원 라인에 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되고, 상기 제 1 TFT의 제2전극에 소스 전극이 연결되는 제 3 TFT를 포함하는 전압보상형 화소회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 노드에 일단이 연결되고, 상기 저전위 전원 라인에 타단이 연결되어, 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 전달되는 전압을 저장하는 스토리지 커패시터를 더 포함하는 전압보상형 화소회로
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 TFT와 구동 TFT의 교점에 제1전극이 연결되고, 상기 발광 소자에 제2전극이 연결되며, 제 2 게이트 신호가 게이트 전극에 인가되는 제 4 TFT를 더 포함하는 전압보상형 화소회로
4 4
제 3 항에 있어서,상기 전압 보상형 화소회로는 상기 스토리지 커패시터에 전압이 저장되는 프리 차지 단계, 상기 데이터 신호에 의한 전압을 입력받는 데이터 입력 단계 및 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압을 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하여 상기 발광 소자를 구동시키는 방출 단계 순으로 동작하며,상기 프리 차지 단계에서, 상기 제1게이트 신호의 온 전압에 의해 상기 제 1 TFT 및 상기 제 2 TFT가 턴 온되고, 상기 고전위 전원의 온 전압에 의해 상기 제 3 TFT가 턴 온되면, 상기 제 1 노드에 상기 고전위 전원으로부터 출력되는 전압에서 상기 제 3 TFT의 임계 전압이 차감된 전압이 걸리게 되며, 상기 제 2 노드에는 상기 데이터 라인을 통해 데이터 신호에 의한 전압이 걸리게 되는 것인 전압보상형 화소회로
5 5
제 4 항에 있어서,상기 데이터 입력 단계에서,상기 고전위 전원의 오프 전압에 의해 상기 제 3 TFT는 턴 오프 상태가 되고, 상기 제 2 게이트 신호의 오프 전압에 의해 상기 제 4 TFT가 턴 오프 상태가 되며, 상기 스토리지 커패시터는, 상기 제 2 노드에 인가되는 데이터 신호에 의한 전압에서 상기 구동 TFT의 임계전압만큼 합산된 전압이 될 때까지 방전하는 전압보상형 화소회로
6 6
제 5 항에 있어서,상기 방출 단계에서,상기 스토리지 커패시터에 저장되어 있던 전압이 상기 구동 TFT에 인가되며, 상기 구동 TFT의 임계전압이 상쇄된 상태에서 상기 발광 소자에 일정한 전류가 흐르도록 제어되는 전압보상형 화소회로
7 7
발광 소자와, 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT와, 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되며, 제1노드에 제1전극이 연결되며, 제1게이트 라인을 통해 게이트 전극이 접속되어 스위칭을 수행하되, 상기 제1게이트 라인을 통해 공급되는 제1게이트 신호에 따라 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가되는 전압을 상기 제1노드에 형성하도록 스위칭하는 제 1 TFT, 상기 제1게이트 신호에 따라 스위칭되며, 데이터 신호가 입력되는 데이터 라인에 연결되어 상기 구동 TFT의 소스 전극에 상기 데이터 신호가 직접 인가될 수 있도록 스위칭하는 제 2 TFT, 고전위 전원 라인에 게이트 전극과 드레인 전극이 연결되고, 상기 제 1 TFT의 제2전극에 소스 전극이 연결되는 제 3 TFT 및 상기 제 2 TFT와 구동 TFT의 교점에 제1전극이 연결되고, 상기 발광 소자의 애노드에 제2전극이 연결되며, 제 2 게이트 신호가 게이트 전극에 인가되는 제 4 TFT와, 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 일단이 연결되고, 상기 발광 소자의 캐소드에 타단이 연결되는 스토리지 커패시터를 포함하는 전압보상형 화소회로의 제어방법에 있어서,상기 게이트 신호는 상기 제 1 TFT 및 제 2 TFT의 게이트 전극에 인가되는 상기 제1게이트 신호와, 상기 제 4 TFT에 인가되는 상기 제2게이트 신호를 포함하고, 고전위 전압 신호는 상기 제 3 TFT에 의해 스위칭되며, 상기 제1게이트 신호, 상기 데이터 신호 및 상기 고전위 전압 신호의 온 전압에 의해 상기 스토리지 커패시터는 상기 고전위 전압에서 상기 제 3 TFT의 임계전압이 차감된 크기의 전압이 충전되고,상기 제1게이트 신호 및 상기 데이터 신호의 온 전압에 의해 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압이 상기 데이터 신호에 의한 전압에 상기 구동 TFT의 임계전압만큼 합산된 전압이 될 때까지 방전하며,상기 제2게이트 신호 및 상기 고전위 전압 신호의 온 전압에 의해 상기 스토리지 커패시터에 저장되어 있던 전압이 구동 TFT의 게이트 전극에 공급되어 상기 구동 TFT의 임계전압을 상쇄시킨 상태에서 상기 발광 소자를 구동시키는 전압보상형 화소회로의 구동방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 스토리지 커패시터에 전압이 저장되는 프리 차지 단계, 상기 데이터 신호에 의한 전압을 입력받는 데이터 입력 단계, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압을 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하여 상기 발광 소자를 구동시키는 방출 단계에 따라 제어되는 전압보상형 화소회로의 구동방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 제 2 TFT는 제1전극에 데이터 라인이 연결되고, 상기 발광 소자와 직렬 연결된 고전위 라인과 저전위 라인 사이에 제2전극이 연결되어 상기 데이터 신호를 스위칭하는 전압보상형 화소회로의 구동방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 구동 TFT의 임계전압을 상쇄시킨 상태에서 상기 발광 소자를 구동시키는 것은,상기 데이터 신호에 의한 전압과, 상기 저전위 라인을 통해 인가되는 저전위 전압과, 상기 발광 소자에 걸리는 전압에 따라 상기 발광 소자를 구동시켜 상기 임계전압을 상쇄시킨 상태에서 발광소자가 구동되는 것인 전압보상형 화소회로의 구동방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 숭실대학교 산학협력단 신진연구지원사업 무선에너지 전력 응용을 위한 디스플레이 소자 기반의 초소형 및 고효율의 특성을 가지는 공진형 Antenna 통합 수신단 설계 기술 연구