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(a) 기재상에 형성된 반도체층을 유기용매에 침지시켜 반도체층 상에 자기조립 단일층(Self Assembly Monolayer; SAM)을 형성하는 단계; 및(b) 상기 자기조립 단일층 상에 나노입자를 부착시키는 단계; 를 포함하는 광전자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 사파이어 또는 실리콘카바이드인 광전자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 InGaN, GaN, AlGaAs, GaAs, GaAsP, GaP, AlGaInP, AlGaP, ZnSe, SiC, Si, Diamond, BN, AlGaInN, 및 AlInN 로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상이 선택된 광전자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 유기용매에 상기 반도체층을 12시간 내지 24시간을 침지시키는 광전자 소자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 유기용매는 에탄올, 메탄올 또는 부탄올에 화합물을 용해시킨 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 화합물은 4-Aminothiophenol, 4-mercaptobenzoic acid, 11-mercaptoundecanoic acid, 11-amino-1-undecanethiol, 12-mercaptododecanoic acid 및 12-amino-1-dodecanethiol로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상이 선택된 광전자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는,증류수에 나노입자를 첨가하여 90℃ 내지 100℃ 로 가열하는 단계;상기 증류수에 시트르산나트륨(Sodium Citrate) 또는 아스코르빈산(Ascorbic Acid) 용액을 넣은 후, 90℃ 내지 100℃로 30분 내지 60분간 유지하는 단계;18℃ 내지 28℃ 에서 1시간 내지 6시간 냉각시키는 단계; 및자기조립 단일층(Self Assembly Monolayer; SAM)을 상기 용액에 침지시켜 나노입자를 흡착시키는 단계; 를 포함하는 광전자 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 나노입자는 전구체가 HAuCl4, NaAuCl4, 또는 KAuCl4인 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 광전자 소자
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제9항에 있어서,상기 광전자 소자는 발광 다이오드인 광전자 소자
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제9항에 있어서,상기 광전자 소자는 나노입자의 금속 코어와 상기 반도체층 영역 간에 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance; SPR)이 일어나는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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