| 1 |
1
실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer); 및상기 실리콘 웨이퍼 내 둘레에 적어도 2 이상 돌출 구조로 형성되는 고정부를 포함하며,상기 고정부가 형성되는 영역에 대응하는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면은,음각패턴으로 형성하고, 상기 음각패턴의 밑면이 요철패턴으로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 고정부는,산화알루미늄(Al2O3), 실리콘(Silicon) 및 탄화규소(SiC) 중 적어도 하나로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 고정부의 높이는,상기 실리콘 웨이퍼 상에 고정되는 솔라 웨이퍼(Solar Wafer)의 높이 이상으로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 고정부는,서로 마주보는 고정부의 수직 또는 수평 위치가 동일하게 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 고정부는,'ㄱ', 'ㄴ', 및 'ㅅ' 자 모양 중 적어도 하나로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 고정부는,상기 형성된 'ㄱ', 'ㄴ', 및 'ㅅ' 자 모양의 끝에 돌기(突起)가 더 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 고정부는,알파벳 'C', 'J', 'L', 'U', 및 'V' 자 모양 중 적어도 하나로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 11 |
11
제8항 또는 제10항에 있어서,상기 문자 모양으로 형성된 고정부의 홈(groove)에 의해 상기 실리콘 웨이퍼 상에 솔라 웨이퍼가 고정되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 고정부의 높이는,상기 솔라 웨이퍼의 높이 미만으로 형성되는, 솔라 웨이퍼 트레이
|
