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전압보상형 화소회로 및 그 구동방법

기술번호 : KST2015000193
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	액티브 매트릭스를 적용한 OLED 화소 회로 내의 전압의 흐름을 제어하여 구동 TFT에 지속적인 게이트 바이어스(gate bias)로 인한 임계전압의 변화와, 구동 TFT의 모빌리티 변화를 보상할 수 있는 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법을 개시한다.전압 보상형 화소회로는 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 위치하며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 발광 소자를 구동하는 구동 TFT와, 구동 TFT의 게이트 노드에 소스 노드가 연결되고, 게이트 노드와 드레인 노드가 연결되어 제1게이트 신호를 인가받는 제 1 TFT와, 제 1 TFT와 구동 TFT의 게이트 노드의 교점에 제2전극이 연결되고, 게이트 노드에 스캔 신호가 입력되는 제 2 TFT 및 구동 TFT의 모빌리티의 변화를 보상할 수 있도록 게이트 노드에 구동 TFT의 소스 노드가 연결되어 스위칭되고, 제1전극은 그라운드에 연결되며, 제2전극은 상기 제 2 TFT에 연결되는 제 3 TFT를 포함하므로, 구동 TFT의 임계전압에 의한 변화 및 모빌리티 변화를 보상하여 구동시킬 수 있다.
Int. CL	G09G 3/32 (2006.01)
CPC	G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01)
출원번호/일자	1020130158164 (2013.12.18)
출원인	숭실대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1483967-0000 (2015.01.13)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.18)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이호진	대한민국	서울 강남구
2	김용찬	대한민국	서울 광진구
3	김연경	대한민국	서울 양천구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	윤귀상	대한민국	서울특별시 금천구 디지털로길 * **호 (가산동, 한신IT타워차)(디앤특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2013-1159385-11
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.08.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2014-0024070-38
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.11.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0778655-98
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230654-22
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.12.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1230655-78
7	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2014.12.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0886599-84
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.01.02	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2015-0001339-51
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.01.02	수리 (Accepted)	1-1-2015-0001338-16
10	등록결정서 Decision to grant	2015.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0020075-39
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소회로에 있어서,고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 위치하며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 상기 발광 소자를 구동하는 구동 TFT;상기 구동 TFT의 게이트 노드에 소스 노드가 연결되고, 게이트 노드와 드레인 노드가 연결되어 제1게이트 신호를 인가받는 제 1 TFT;상기 제 1 TFT와 상기 구동 TFT의 게이트 노드의 교점에 제2전극이 연결되고, 게이트 노드에 스캔 신호가 입력되는 제 2 TFT; 및상기 구동 TFT의 모빌리티의 변화를 보상할 수 있도록 게이트 노드에 상기 구동 TFT의 소스 노드가 연결되어 스위칭되고, 제1전극은 그라운드에 연결되며, 제2전극은 상기 제 2 TFT의 제1전극에 연결되는 제 3 TFT;를 포함하는 전압보상형 화소 회로
2	2 제 1 항에 있어서,상기 구동 TFT의 게이트 노드와 상기 제 1 TFT의 소스 노드가 연결되는 지점은 제2노드로 정해지고,상기 제2노드에 일단이 연결되어 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가되는 전압을 저장하는 스토리지 캐패시터를 더 포함하는 전압보상형 화소회로
3	3 제 2 항에 있어서,상기 스토리지 캐패시터의 타단에 연결되어 제 1 노드를 형성하며, 게이트 전극에 제2게이트 신호를 수신받아 스위칭되며, 데이터 전압을 입력받아 상기 제2노드로 전달시키는 제 4 TFT를 더 포함하는 전압보상형 화소회로
4	4 제 1 항에 있어서,게이트 전극에 일정 크기의 직류 전류가 입력되어 스위칭되며, 일단은 상기 고전위 라인이 연결되며 타단은 상기 구동 TFT의 소스 노드에 연결되는 제 5 TFT를 더 포함하는 전압보상형 화소회로
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제1게이트 신호의 온 전압에 의해 상기 제 1 TFT가 동작하며, 상기 제1게이트 신호에 의한 전압에서 상기 제 1 TFT의 임계전압만큼 차감된 전압이 상기 제 1 TFT의 소스 노드에 연결된 스토리지 캐패시터에 저장되는 리셋 단계, 상기 스캔 신호에 의한 전압에 의해 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압에서 상기 제3 TFT 및 상기 구동 TFT의 임계전압과 상기 구동 TFT의 모빌리티 보상 전압을 제외한 전압이 방전되는 셋업 단계, 데이터 신호에 의한 데이터 전압이 부트스트랩 현상에 의해 상기 구동 TFT의 게이트 노드와 상기 제 1 TFT의 소스 노드가 연결되는 지점인 제 2 노드에 전달되는 쓰기 단계 및 상기 제 2 노드에 저장된 전압이 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 공급되어 스위칭되고, 고전위 전원에서 저전위 전원으로 전류가 흐르게 되어 발광소자가 동작되는 드라이브 단계를 거쳐 상기 구동 TFT의 임계전압에 의한 변화를 보상하고, 상기 구동 TFT의 모빌리티 변화를 보상하여 구동되는 전압보상형 화소회로
6	6 삭제
7	7 발광 소자와, 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 위치하며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT와, 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 소스 노드가 연결되고, 게이트 노드와 드레인 노드가 연결되어 제1게이트 신호를 인가받는 제 1 TFT, 상기 제 1 TFT와 상기 구동 TFT의 게이트 노드의 교점에 제 2 전극이 연결되고, 게이트 노드에 스캔 신호가 입력되는 제 2 TFT, 및 상기 구동 TFT의 모빌리티의 변화를 보상할 수 있도록 게이트 노드에 상기 구동 TFT의 소스 노드가 연결되며, 제 1 전극은 그라운드에 연결되어 상기 구동 TFT의 모빌리티 변화에 따라 게이트 노드의 스위칭 전압이 변환되어 스위칭되는 전류의 크기가 변화하고, 제 2 전극은 상기 제 2 TFT의 제 1 전극에 연결되는 제 3 TFT, 데이터 신호에 의한 데이터 전압을 입력받아 상기 구동 TFT의 게이트 노드와 상기 제 1 TFT의 소스 노드가 연결되는 지점인 제 2 노드로 전달시키는 제 4 TFT, 일단은 상기 고전위 전원 라인이 연결되며 타단은 상기 구동 TFT의 소스 노드에 연결되는 제 5 TFT와, 상기 제 4 TFT의 제2전극이 연결되어 있는 제 1 노드에 일단이 연결되고, 상기 제 2 노드에 타단이 연결되어 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가되는 전압을 저장하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동방법에 있어서,상기 게이트 신호는 상기 제 1 TFT의 게이트 노드에 인가되는 상기 제1게이트 신호와, 상기 제 4 TFT의 게이트 노드에 인가되는 제2게이트 신호를 포함하고, 상기 고전위 전압 신호는 상기 제 5 TFT의 게이트 전극에 인가되는 직류 신호에 의해 스위칭되며, 상기 데이터 신호는 상기 제 4 TFT의 턴 온 또는 턴 오프에 따라 상기 스토리지 캐패시터로 인가되며,상기 구동 TFT의 모빌리티 변화에 따라 상기 스위칭 TFT를 통해 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압이 변화하여 모빌리티 보상 전압이 생성되며, 상기 모빌리티 보상 전압에 따라 상기 발광 장치에 흐르는 전류의 크기를 일정하게 유지하는 전압보상형 화소회로의 구동방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 구동 TFT의 모빌리티가 변화하면 상기 제 2 TFT와 상기 제 3 TFT를 통해 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압이 변화하여 모빌리티 보상 전압이 형성되는 것인 전압보상형 화소회로의 구동방법
9	9 제 7 항에 있어서,상기 발광 장치에 흐르는 전류는 상기 고전위 전압 신호, 상기 데이터 신호 및 상기 모빌리티 보상 전압에 따라 그 크기가 결정되어 구동되는 전압보상형 화소회로의 구동방법
10	10 제 7 항에 있어서,상기 전압보상형 화소회로는 상기 제1게이트 신호의 온 전압에 의해 상기 제 1 TFT가 동작하며, 상기 제1게이트 신호에 의한 전압에서 상기 제 1 TFT의 임계전압만큼 차감된 전압이 상기 제 1 TFT의 소스 노드에 연결된 스토리지 캐패시터에 저장되는 리셋 단계, 상기 스캔 신호에 의한 전압에 의해 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압에서 상기 제3 TFT 및 상기 구동 TFT의 임계전압과 상기 구동 TFT의 모빌리티 보상 전압을 제외한 전압이 방전되는 셋업 단계, 상기 데이터 전압이 부트스트랩 현상에 의해 상기 제 2 노드에 전달되는 쓰기 단계 및 상기 제 2 노드에 저장된 전압이 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 공급되어 스위칭되고, 고전위 전원에서 저전위 전원으로 전류가 흐르게 되어 발광소자가 동작되는 드라이브 단계를 거쳐 상기 구동 TFT의 임계전압에 의한 변화를 보상하고, 상기 구동 TFT의 모빌리티 변화를 보상하여 구동되는 전압보상형 화소회로의 구동방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	숭실대학교 산학협력단	신진연구지원사업	무선에너지 전력 응용을 위한 디스플레이 소자 기반의 초소형 및 고효율의 특성을 가지는 공진형 Antenna 통합 수신단 설계 기술 연구

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특허 등록번호	10-1483967-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131218 출원 번호 : 1020130158164 공고 연월일 : 20150120 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150109 청구범위의 항수 : 9 유별 : G09G 3/32 발명의 명칭 : 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2015년 01월 13일	납입
제 4 년분	금 액	166,600 원	2018년 01월 08일	납입
제 5 년분	금 액	119,000 원	2019년 01월 07일	납입
제 6 년분	금 액	119,000 원	2020년 01월 13일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2013-1159385-11
2	선행기술조사의뢰서	2014.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2014.08.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2014-0024070-38
4	의견제출통지서	2014.11.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0778655-98
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230654-22
6	[명세서등 보정]보정서	2014.12.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1230655-78
7	최후의견제출통지서	2014.12.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0886599-84
8	[명세서등 보정]보정서	2015.01.02	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2015-0001339-51
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.01.02	수리 (Accepted)	1-1-2015-0001338-16
10	등록결정서	2015.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0020075-39
11	출원인정보변경(경정)신고서	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51


기술번호	KST2015000193
자료제공기관	NTB
기술공급기관	숭실대학교
기술명	전압보상형 화소회로 및 그 구동방법
기술개요	액티브 매트릭스를 적용한 OLED 화소 회로 내의 전압의 흐름을 제어하여 구동 TFT에 지속적인 게이트 바이어스(gate bias)로 인한 임계전압의 변화와, 구동 TFT의 모빌리티 변화를 보상할 수 있는 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법을 개시한다.전압 보상형 화소회로는 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 위치하며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 턴 온 또는 턴 오프되어 발광 소자를 구동하는 구동 TFT와, 구동 TFT의 게이트 노드에 소스 노드가 연결되고, 게이트 노드와 드레인 노드가 연결되어 제1게이트 신호를 인가받는 제 1 TFT와, 제 1 TFT와 구동 TFT의 게이트 노드의 교점에 제2전극이 연결되고, 게이트 노드에 스캔 신호가 입력되는 제 2 TFT 및 구동 TFT의 모빌리티의 변화를 보상할 수 있도록 게이트 노드에 구동 TFT의 소스 노드가 연결되어 스위칭되고, 제1전극은 그라운드에 연결되며, 제2전극은 상기 제 2 TFT에 연결되는 제 3 TFT를 포함하므로, 구동 TFT의 임계전압에 의한 변화 및 모빌리티 변화를 보상하여 구동시킬 수 있다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	전기전자
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1711008019
세부과제번호	2011-0013336
연구과제명	무선 에너지 전송 응용을 위한 디스플레이 소자 기반의 초소형 및 고효율의 특성을 가지는 공진형 Antenna 통합 수신단 설계 기술 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201105~201404
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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