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나노 크기를 갖는 아연 분말을 물에 첨가하고 분산시켜 제1 분산액을 준비하는 분산 단계;상기 제1 분산액을 30 내지 70℃의 온도 분위기 하에서 소정의 시간 동안 방치하여 산화아연 침전물을 형성하는 산화 반응 단계; 및상기 침전물을 여과하고 건조하여 제1 산화아연 분말을 준비하는 분말 단계를 포함하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 분산 단계는 상기 물 100 중량부에 대해 상기 아연 분말을 0
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제1항에 있어서,상기 아연 분말의 입경은 1 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화 반응 단계는 1 내지 40 시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 분산 단계는 분산액에 촉매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 촉매는 아세트산인 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화아연의 평균 두께는 30 내지 50nm이고 평균 길이는 80 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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나노 크기를 갖는 아연 분말과 철, 니켈, 코발트, 타이타늄 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 분말을 물에 첨가하고 분산시켜 제2 분산액을 준비하는 분산 단계;상기 분산액을 30 내지 70℃의 온도 분위기 하에서 소정의 시간 동안 방치하여 산화아연 침전물을 형성하는 산화 반응 단계; 및상기 침전물을 여과하고 건조하여 제2 산화아연 분말을 준비하는 분말 단계를 포함하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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삭제
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제8항에 있어서,상기 금속 분말은 상기 아연 분말에 대해 3 내지 10 wt% 첨가되는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 분말 단계는 건조 이후 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 열처리는 100 내지 400℃의 온도 분위기 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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평균 두께는 30 내지 50nm이고 평균 길이는 80 내지 120nm인 나노 막대 형상을 갖는 산화아연 분말
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제13항에 있어서,상기 산화아연 분말은 철, 니켈, 코발트, 타이타늄 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속이 도핑된 것을 특징으로 하는 산화아연 분말
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제1항에 있어서,상기 제1 분산액은 아연 분말을 물에 첨가하고 초음파 처리를 하여 준비되는 것을 특징으로 하는 나노 막대 형태의 산화아연 제조 방법
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