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원자로 내부의 붕괴열을 제거하기 위한 소듐-소듐 열교환기(20), 상기 소듐-소듐 열교환기(20)보다 높은 위치에 구비되는 소듐-공기 열교환기(40), 상기 소듐-소듐 열교환기(20)와 소듐-공기 열교환기(40)를 연결하는 제열용 소듐-루프(30) 및 원자로 측의 고온풀(150)의 액위가 원자로 용기(100) 내벽 측의 저온풀(200)의 액위보다 높도록 그 액위차를 유지하는 1차 계통펌프(145)를 구비하고, 정상 열제거 시스템이 기능하는 경우에는 적어도 상기 고온풀(150)내의 고온 소듐과의 직접적인 접촉 없이 상기 고온풀(150)로부터 상기 소듐-소듐 열교환기(20)로 전달되는 복사열을 이용하여 상기 제열용 소듐-루프(30)의 매개체를 고화되지 않도록 하고, 그리고 상기 정상 열제거 시스템이 기능하지 않는 경우에는 상기 소듐-소듐 열교환기(20)를 통하여 상기 금속로 내부의 붕괴열을 제거하는 방법에 있어서,상기 소듐-소듐 열교환기(20)를 그 내부에 수용하고, 상기 고온풀(150)과 저온풀(200)의 경계면을 관통하는 원형관(10)을 수직방향으로 설치하되, (a) 상기 정상 열제거 시스템이 기능할 때의 고온풀(150)의 액위보다 높은 곳에 상기 원형관(10)의 상단이 위치하도록 하고, (b) 상기 정상 열제거 시스템이 기능하지 않을 때에는 부피 팽창에 의하여 상기 원형관(10)의 상단을 넘어 그 내부로 유입되는 고온풀(150)의 소듐이 상기 소듐-소듐 열교환기(20)와 직접 접촉하여 온도가 낮아짐으로써 생성된 밀도차에 의하여 상기 저온풀(200)로 자연 순환될 수 있도록 상기 원형관(10)의 하단이 상기 저온풀(200)과 직접적으로 연통되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 원자로 용기(100)의 외주면을 외부 공기에 의해 냉각시키는 원자로용기 직접 냉각방식(Passive Vessel Cooling System, PVCS)을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소듐-소듐 열교환기(20)의 하단은 정상 열제거 시스템이 기능할 때의 저온풀(200)의 액위보다 높은 곳에 위치하여 고온풀(150)로부터 상기 소듐-소듐 열교환기(20)로 전달되는 복사열만을 이용하여 상기 제열용 소듐-루프(30)의 매개체가 고화되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거방법
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제3항에 있어서, 격리밸브(180)가 제거된 상기 제열용 소듐-루프(30)와, 공기유로 입/출구(43', 47')에서 댐퍼(170)를 제거한 상기 소듐-공기 열교환기(40)에 의해 완전 피동개념으로 노심의 붕괴열이 제거되도록 한 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거방법
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제3항에 있어서, 상기 소듐-소듐 열교환기(20) 및 원형관(10)의 표면의 거칠기나 산화 정도를 조절하여 그 표면처리에 따른 방사율을 조절하는 방법에 의하여 복사 열전달을 양적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거방법
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원자로 내부의 붕괴열을 제거하기 위한 소듐-소듐 열교환기(20), 상기 소듐-소듐 열교환기(20)보다 높은 위치에 구비되는 소듐-공기 열교환기(40), 상기 소듐-소듐 열교환기(20)와 소듐-공기 열교환기(40)를 연결하는 제열용 소듐-루프(30) 및 금속로 측의 고온풀(150)의 액위가 원자로 용기(100) 내벽 측의 저온풀(200)의 액위보다 높도록 그 액위차를 유지하는 1차 계통펌프(145)를 구비하고, 정상 열제거 시스템이 기능하는 경우에는 적어도 상기 고온풀(150)내의 고온 소듐과의 직접적인 접촉 없이 상기 고온풀(150)로부터 상기 소듐-소듐 열교환기(20)로 전달되는 복사열을 이용하여 상기 제열용 소듐-루프(30)의 매개체를 고화되지 않도록 하고, 그리고 상기 정상 열제거 시스템이 기능하지 않는 경우에는 상기 소듐-소듐 열교환기(20)를 통하여 상기 금속로 내부의 붕괴열을 제거하는 시스템에 있어서,상기 소듐-소듐 열교환기(20)를 그 내부에 수용하는 원형관(10)을 상기 고온풀(150)과 저온풀(200)의 경계면을 관통하도록 수직방향으로 설치하되,(a) 상기 정상 열제거 시스템이 기능할 때의 고온풀(150)의 액위보다 높은 곳에 상기 원형관(10)의 상단이 위치하도록 하고,(b) 상기 정상 열제거 시스템이 기능하지 않을 때에는 부피 팽창에 의하여 상기 원형관(10)의 상단을 넘어 그 내부로 유입되는 고온풀(150)의 소듐이 상기 소듐-소듐 열교환기(20)와 직접 접촉하여 온도가 낮아짐으로써 생성된 밀도차에 의하여 상기 저온풀(200)로 자연 순환될 수 있도록 상기 원형관(10)의 하단이 상기 저온풀(200)과 직접적으로 연통되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거시스템
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제6항에 있어서, 상기 원자로 용기(100)의 외주면을 외부 공기에 의해 냉각시키는 원자로용기 직접 냉각방식(Passive Vessel Cooling System, PVCS)을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 소듐-소듐 열교환기(20)의 하단은 정상 열제거 시스템이 기능할 때의 저온풀(200)의 액위보다 높은 곳에 위치하여 고온풀(150)로부터 상기 소듐-소듐 열교환기(20)로 전달되는 복사열만을 이용하여 상기 제열용 소듐-루프(30)의 매개체가 고화되지 않도록 하고, 상기 소듐-소듐 열교환기(20) 및 원형관(10)의 표면의 거칠기나 산화 정도를 조절하여 그 표면처리에 따른 방사율을 조절함으로써 복사 열전달을 양적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 소듐-소듐 열교환기(20)의 하단은 정상 열제거 시스템이 기능할 때의 저온풀(200)의 액위보다 높은 곳에 위치하여 고온풀(150)로부터 상기 소듐-소듐 열교환기(20)로 전달되는 복사열만을 이용하여 상기 제열용 소듐-루프(30)의 매개체가 고화되지 않도록 하고, 상기 소듐-소듐 열교환기(20) 및 원형관(10)의 표면의 거칠기나 산화 정도를 조절하여 그 표면처리에 따른 방사율을 조절함으로써 복사 열전달을 양적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 액체금속로 열 제거시스템
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