맞춤기술찾기

이전대상기술

열전모듈의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015000575
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 P형반도체 및 N형반도체가 나노분말로 소결 성형되는 열전모듈의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 열전모듈은, 상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판(110) 및 하부기판(120)과, 상기 상부기판(110) 및 하부기판(120)의 일면에 구비되어 공급된 전원의 흐름을 안내하는 전극(130)과, 상기 전극(130) 사이에 이격된 다수 P형반도체(140) 및 N형반도체(150)를 포함하여 구성되며, 상기 P형반도체(140) 및 N형반도체(150)를 형성하는 열전분말은 플라즈마아크 방전에 의해 형성되어 150㎚ 미만의 크기를 가지는 것을 특징으로 한다. 그리고 상기 P형반도체(140) 및 N형반도체(150)는 열전분말과 유기용제가 혼합된 페이스트(paste)를 소결하여 형성한 것임을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면, 열전모듈의 열전 성능이 향상되는 이점이 있다.열전모듈, 스크린프린팅, 유기용제, 페이스트(paste)
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/32 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090035318 (2009.04.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1195122-0000 (2012.10.22)
공개번호/일자 10-2010-0116748 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하국현 대한민국 부산광역시 북구
2 이길근 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)
2 이성재 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0245019-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0034962-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0517875-88
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0026459-13
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0105544-72
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0178134-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0267929-01
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0032242-92
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0358952-53
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0358969-28
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518906-18
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0895917-61
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0995087-93
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0032841-72
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0116636-66
19 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0018222-95
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0196601-22
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0196587-70
22 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0427584-32
23 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.08.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0039633-85
24 등록결정서
Decision to grant
2012.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0610072-16
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
플라즈마아크 방전에 의해 150㎚ 미만의 크기로 가지고, Bi-Te-Sb계 또는 Bi-Te-Se계이며 P형반도체 및 N형반도체를 구성하게 될 열전분말을 제조하는 분말제조단계와; 상기 열전분말을 수소 환원하는 수소환원단계와; 수소 환원된 열전분말과 유기용제를 포함하는 페이스트(paste)의 전체 부피에 대하여 50 내지 95 부피%의 열전분말이 포함되도록 하는 페이스트단계와; 열전모듈의 상/하면 외관을 형성하는 상부기판 또는 하부기판의 일면에 금속분말을 포함하는 페이스트를 스크린프린팅하여 페이스트 상태의 상부전극 또는 하부전극을 형성하는 전극형성단계와; 상기 금속분말을 포함하는 페이스트 상태의 상부전극과 하부전극 중 어느 하나의 일면에 열전분말이 포함된 페이스트(paste)를 스크린프린팅하여 P형반도체와 N형반도체를 형성하는 반도체형성단계와; 상기 상부기판과 하부기판을 접합하여 열전모듈을 형성하는 모듈형성단계를 포함하여 구성되고,상기 모듈형성단계는, 상기 상부기판과 하부기판을 형틀 내부에 장입하고 300 내지 550℃의 온도 범위에서 가열 및 가압하여 상부전극, 하부전극, P형반도체, N형반도체를 형성하기 위한 페이스트(paste)를 동시에 소결하는 과정이며,상기 분말제조단계는, 열전소재를 플라즈마방전기의 조업챔버에 장입한 다음 열전소재 주위를 진공 분위기로 조성하는 방전준비과정과, 상기 조업챔버에 아르곤을 주입하여 플라즈마아크를 발생시키는 아크발생과정과, 상기 조업챔버 내부에 수소, 산소, 불활성 기체 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합기체를 주입하는 가스주입과정과, 상기 가스주입과정에서 주입된 기체가 열전분말이 포집되는 포집챔버 및 조업챔버를 순환하도록 하는 가스순환과정과, 상기 기체가 순환하는 동안 상기 포집챔버 내부에서 기화된 열전소재가 포집되는 분말포집과정을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
5 5
플라즈마아크 방전에 의해 150㎚ 미만의 크기로 가지고, Bi-Te-Sb계 또는 Bi-Te-Se계이며 P형반도체 및 N형반도체를 구성하게 될 열전분말을 제조하는 분말제조단계와; 상기 열전분말을 수소 환원하는 수소환원단계와; 수소 환원된 열전분말과 유기용제를 포함하는 페이스트(paste)의 전체 부피에 대하여 50 내지 95 부피%의 열전분말이 포함되도록 하는 페이스트단계; 열전모듈의 상/하면 외관을 형성하는 상부기판 또는 하부기판의 일면에 금속분말을 포함하는 페이스트를 스크린프린팅하여 페이스트 상태의 상부전극 또는 하부전극을 형성하는 전극형성단계와; 상기 금속분말을 포함하는 페이스트 상태의 상부전극과 하부전극의 일면에 열전분말이 포함된 페이스트(paste)를 스크린프린팅하여 P형반도체와 N형반도체 중 하나를 각각 형성하는 반도체형성단계와; 상기 상부기판과 하부기판을 접합하여 열전모듈을 형성하는 모듈형성단계를 포함하여 구성되고,상기 모듈형성단계는, 상기 상부기판과 하부기판을 형틀 내부에 장입하고 300 내지 550℃의 온도 범위에서 가열 및 가압하여 상부전극, 하부전극, P형반도체, N형반도체를 형성하기 위한 페이스트(paste)를 동시에 소결하는 과정이며, 상기 분말제조단계는, 열전소재를 플라즈마방전기의 조업챔버에 장입한 다음 열전소재 주위를 진공 분위기로 조성하는 방전준비과정과, 상기 조업챔버에 아르곤을 주입하여 플라즈마아크를 발생시키는 아크발생과정과, 상기 조업챔버 내부에 수소, 산소, 불활성 기체 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합기체를 주입하는 가스주입과정과, 상기 가스주입과정에서 주입된 기체가 열전분말이 포집되는 포집챔버 및 조업챔버를 순환하도록 하는 가스순환과정과, 상기 기체가 순환하는 동안 상기 포집챔버 내부에서 기화된 열전소재가 포집되는 분말포집과정을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전극형성단계는,상기 상부기판 하면에 상부전극을 형성하는 과정과,상기 하부기판 상면에 하부전극을 형성하는 과정으로 이루어지며,상기 상부전극과 하부전극은 일부가 서로 겹쳐지는 위치에 형성됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.