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기재 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 형성된 포토레지스트층에 3 차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3 차원 광간섭 패턴을 조사함으로써 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 제 1 유기 용매 내에서 열처리하는 단계; 및상기 제 1 유기 용매 내에서 열처리된 포토레지스트 패턴을 가열하여 탄화시켜 다공성 탄소 구조체를 수득하는 단계:를 포함하는,다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 3 차원 광간섭 패턴이 조사된 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 추가로 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 차원 광간섭 패턴은,상기 포토레지스트 층에 광로차가 없는 복수의 간섭성 평행광을 조사하여 형성되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 형성되는 3 차원의 다공성 포토레지스트 패턴의 격자 상수는, 상기 조사되는 간섭성 평행광의 입사각에 따라 조절되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 형성되는 3 차원의 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 크기는, 상기 조사되는 간섭성 평행광의 세기 및/또는 조사 시간에 의해 조절되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴은,상기 포토레지스트층에 3 차원의 기공이 규칙적으로 배열된 3 차원 면심입방 구조를 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 포토레지스트층에 서로 상이한 주기를 갖는 두 개 이상의 3 차원 광간섭 패턴을 중첩 조사하여 상기 포토레지스트층에 멀티스케일 격자 패턴을 형성하는 것을 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 유기 용매는 탄소수 10 개 내지 20 개를 함유하는 탄화수소를 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 탄화수소는, 헥사데케인, 헵타데케인, 옥타데케인, 노나데케인, 이코세인, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소를 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 유기 용매 내에서 열처리하는 단계는 100℃ 내지 250℃의 온도에서 수행되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 유기 용매 내에서 열처리하는 단계는 3 차원 다공성 포토레지스트 패턴의 구조 붕괴 없이 패턴의 가교도를 높여 기계적 물성을 향상시키는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 탄소 구조체의 두께는 상기 열처리의 온도 및/또는 시간에 의하여 조절이 가능한 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계 후에, 제 2 유기 용매를 이용하여 상기 다공성 포토레지스트 패턴으로부터 상기 제 1 유기 용매를 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 유기 용매는, 탄소수 1 개 내지 10 개를 함유하는 탄화수소를 포함하는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄화는 700℃ 내지 1500℃의 온도에서 수행되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄화는 불활성 기체 분위기 하에서 수행되는 것인, 다공성 탄소 구조체의 제조 방법
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