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신규 고내열 폴리벤즈옥사졸 화합물, 이를 포함하는 유기 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015000752
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규 고분자 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로 구체적으로 상기 고분자 화합물은 내화학성 특히 염기에 대한 내화학성, 절연특성 및 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 용액공정을 통해 절연체 형성이 가능하므로 공정단순화 및 비용절감 측면에서 유리한 효과가 있으므로, 유기절연체 형성용 조성물 또는 박막 트랜지스터에 유용하게 사용할 수 있다.
Int. CL C08L 65/00 (2006.01) H01B 3/30 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120036246 (2012.04.06)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1302418-0000 (2013.08.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 가재원 대한민국 서울 관악구
2 이미혜 대한민국 대전 유성구
3 김희선 대한민국 광주 남구
4 서민혜 대한민국 충남 공주시
5 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
6 김진수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0278263-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0093380-42
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0564942-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,상기 A 및 B는 서로 독립적으로 O 또는 N이고, 이때 2개의 A는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 2개의 B는 서로 동일하거나 상이할 수 있고; 및 는 서로 독립적으로 , , ,, , , , , , 및 중에서 선택되는 어느 하나의 4가기이며; 및 는 서로 독립적으로 , , , , , , , , , , 및 중에서 선택되는 어느 하나의 2가기이고;n 및 m은 1 - 50의 정수이며;x는 0 - 10의 정수이고;은 단일 또는 이중결합이며; 과 는 선상으로 랜덤하게 배열된다)
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 고분자 화합물은 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 반복단위를 갖는 고분자 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물:[화학식 2][화학식 3][화학식 4](상기 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4에 있어서,, , , , n, m, x 및 는 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같으며;y는 1 - 10의 정수이다)
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 고분자 화합물은 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 아세톤 및 에틸아세테이트 중에서 선택된 용매에 대해 용해특성이 있는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
4 4
제1항의 고분자 화합물을 포함하는 유기절연체 형성용 조성물
5 5
유리 또는 플라스틱의 기판, 게이트 전극, 유기절연막, 유기반도체 층 또는 무기 반도체 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기절연막은 제1항의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제5항에 있어서, 상기 고분자 화합물은 스핀코팅법, 잉크젯 프린팅법 및 딥핑법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법에 의해 유기절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제5항에 있어서, 상기 유기절연막은 두께가 30 - 3000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
제5항에 있어서, 상기 유기반도체 층은 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 금속 포르피린, 폴리티오펜, 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실산2무수물(phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테투라카르복실산2무수물(naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌 (fluorophthalocyanine) 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
제5항에 있어서, 상기 무기 반도체 층은 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물, 구리 산화물, 카드뮴 산화물, 마그네슘 산화물 및 망간 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
10 10
제5항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 전계이동도가 0
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2013151228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013151228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발
2 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발