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신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015000756
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 높기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 제조할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, R4, R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, n은 1 내지 3이다.)
Int. CL C23C 16/18 (2006.01) C07F 11/00 (2006.01)
CPC C07F 11/00(2013.01) C07F 11/00(2013.01) C07F 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120049225 (2012.05.09)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1306810-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대한민국 강원 원주시 남원로***번길 *
2 정택모 대한민국 대전 유성구
3 김창균 대한민국 대전 유성구
4 전동주 대한민국 대전 유성구
5 안기석 대한민국 대전 유성구
6 이선숙 대한민국 대전 중구
7 여소정 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0371080-40
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0577022-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물:[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, R4, R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, n은 1 내지 3이다
2 2
청구항 1에 있어서,상기 R1은 t-부틸이고, R2, R3는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R4, R5는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 화합물
3 3
하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 청구항 1에 따른 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물의 제조방법: [화학식 2](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, X는 할로겐 원자이고, L은 아민 또는 포스핀이다
4 4
청구항 1의 텅스텐 화합물을 이용하여 텅스텐을 포함하는 박막을 성장시키는 방법
5 5
청구항 4에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성
2 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발